激光技术, 2003, 27 (4): 321, 网络出版: 2007-09-18   

GaN基材料半导体激光器综述

The GaN-based semiconductor materials LDs
郎佳红 1,2顾彪 1,2徐茵 1,2秦福文 1,2
作者单位
1 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室,大连,116024
2 大连理工大学电气工程与应用电子技术系,大连,116024
摘要
叙述了激光器材料的发展,回顾了GaN薄膜制备的几个技术进展,总结了GaN基材料激光器(LDs)的发展历程.
Abstract

郎佳红, 顾彪, 徐茵, 秦福文. GaN基材料半导体激光器综述[J]. 激光技术, 2003, 27(4): 321. 郎佳红, 顾彪, 徐茵, 秦福文. The GaN-based semiconductor materials LDs[J]. Laser Technology, 2003, 27(4): 321.

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