调查和研究了现有IGZO薄膜制备工艺，改善了成膜均一性及稳定性，进一步稳定了阈值电压，提升了器件稳定性。首先，通过调整IGZO成膜设备掩膜版的位置，改善基板边缘IGZO膜厚偏薄的状况，提升整面基板阈值电压的均一性；然后，通过分析磁控溅射成膜中磁铁摆动角度的调整对IGZO成膜均一性的影响，确定最优的成膜方式，有效改善阈值电压分布。最后，针对不同氧分压成膜条件，结合残余气体分析，进一步分析研究成膜过程中气体组分，尤其氧气对阈值电压稳定性的影响。研究发现，改善基板边缘及整面IGZO膜厚的均一性，可有效提升TFT器件阈值电压的均一性；控制IGZO成膜过程中氧分压波动，可提高阈值电压的稳定性。
氧化铟镓锌成膜 阈值电压 均一性 稳定性 IGZO film feedthrough voltage uniformity stability
1 中铁第五勘察设计院集团有限公司,北京02600
2 南京大学 现代工程与应用科学学院,南京1003
3 南京法艾博光电科技有限公司,南京21115
4 德克萨斯州立大学 工学院,圣马科斯78666,美国
提出了一种基于K近邻（K‑nearest neighbors，KNN）算法和相位敏感光时域反射（Phase‑sensitive optical time domain reflectometry，φ‑OTDR）系统的高铁声屏障故障识别方法。设计了V字型光缆敷设方式，能够感知声屏障不同高度吸声板在脉动力冲击下的振动，并利用φ‑OTDR系统采集振动信号。对振动信号进行多域特征提取以及K近邻分类后，可以实现对声屏障故障状态识别。实验结果表明，在复杂场景下对于故障点的识别正确率达到了90.9%。该方法为声屏障故障识别提供了一条可行的技术路线，能够减少对专业人员的依赖，对于提升高铁声屏障智能运维水平具有重要意义。
相位敏感光时域反射 声屏障 多域特征提取 K近邻 phase‑sensitive optical time domain reflectometry（φ‑OTDR） noise barrier multi‑domain feature extraction K‑nearest neighbors （KNN）
中国电子科技集团公司第五十五研究所，南京210016
为提升机载紫外告警传感器性能，设计了一款基于ICMOS构架的紫外告警传感器。该型传感器工作波长覆盖250～270 nm，可通过RS422接口上传告警目标信息，具有超广角、高角分辨率、灵敏度高、重量轻、功耗低等优点。对传感器的技术指标、工作原理和设计构架等方面进行了介绍。完成了传感器的基本功能、性能测试，经环境试验验证，满足机载使用要求。
紫外 互补金属氧化物半导体 传感器 机载 UV CMOS sensor airborne
