张良乐 1,2韩晓泉 1,2谢婉露 1,2吴晓斌 1,2,*[ ... ]王魁波 1,2
作者单位
摘要
1 中国科学院微电子研究所光电技术研发中心,北京 100029
2 中国科学院大学,北京 100049
基于使用气体放电等离子体(DPP)极紫外(EUV)光源自研的小型反射率测试装置,分析了DPP光源参数及不同型号探测器对反射率测试的影响,提出了一种能量归一化的反射率测试方法,并测试了13.5 nm波长下Mo/Si多层膜反射镜的反射率特性。研究结果表明:在相同光源参数下,SXUV100型探测器的极紫外能量探测性能优于AXUV100G型;通过归一化使光能量波动对反射率测试光束的影响因子从6.2%降低到0.64%,多层膜反射镜的峰值反射率的测量重复性从4.34%提高到0.69%,与国外同等实验装置精度相当,实现了高精度反射率测试,可为极紫外光刻机的光学元件提供反射率测试。
紫外 气体放电等离子体光源 反射率 能量探测 归一化 
中国激光
2024, 51(7): 0701015
作者单位
摘要
张江实验室,上海 201210
极紫外光刻技术是支撑最先端半导体芯片制造工艺的关键核心技术,有力推动了3 nm工艺节点的量产以及2 nm工艺节点的研发进程。极紫外光刻中的随机缺陷是限制其良率提升的关键难题。一方面,急剧减小的光刻图形特征尺寸对光刻胶各组分化学结构的规整性要求越来越高,而光刻胶中存在的组分不均一、后烘过程中光酸迁移距离以及位置的不确定性等因素都会导致缺陷,这些统称为化学随机性问题。另一方面,极紫外光源的波长(13.5 nm)较短,致使其光子密度很低,仅为上一代ArF光刻工艺中所使用光源(193 nm)的1/14,因此光子的散粒噪声大幅增加,导致了不可避免的光子随机性问题。这些问题的存在,使得EUV光刻胶中的材料体系在分子尺寸、分布均一性等方面较上一代光刻材料有着更严格的要求。本文系统性综述了近年来针对极紫外光刻胶中上述随机性问题的研究,并从化学随机性、光子随机性以及计算模拟三个方向对研究现状进行了追踪。
紫外 化学随机性 光子随机性 光刻胶 光酸迁移距离 
中国激光
2024, 51(7): 0701006
作者单位
摘要
中山大学光电材料与技术国家重点实验室,中山大学材料学院,广东 深圳 518107
极紫外探测器在电子工业、空间探索、基础科学等领域有着无法替代的作用。本文综述了不同类型极紫外探测器的优势及研究进展,包括气体探测器、闪烁体、微通道板以及半导体极紫外探测器,重点介绍了具有优异抗辐照能力的宽禁带半导体极紫外探测器及其潜在的应用优势。最后,本文展望了极紫外探测器在耐辐照功率监测、高分辨极紫外成像和高抑制比极紫外微光探测等方面的应用前景,并指出了其面临的主要挑战。
探测器 紫外 闪烁体 气体探测器 宽禁带半导体探测器 
中国激光
2024, 51(7): 0701008
作者单位
摘要
1 太原理工大学 材料与科学与工程学院, 太原 030024
2 太原理工大学 轻纺工程学院, 太原 030006
3 太原理工大学 航空航天学院, 太原 030006
本研究以Ir配合物FIrPic作为Eu离子的配体,合成了一种新的Eu-Ir双金属配合物Eu(FIrPic)2(Phen)UA,并通过自由基聚合成功制备了红色发光荧光共聚物PM-Eu-Ir,适用于商用近紫外芯片型LED。在不影响 Eu3+ 离子的荧光发射特性的前提下,加入 Ir-配合物可以有效地敏化 Eu3+ 离子,增强其对 400 nm紫外光的吸收。在 365 nm 紫外光激发下,共聚物 PM-Eu-Ir 在 612 nm 处显示出最强的发射峰,其 CIE 坐标为(0.461,0.254),这与 365 nm 近紫外芯片非常吻合。红色共聚荧光粉 PM-Eu-Ir 的微观形貌为典型的多层空间网络结构,除了表现出明显的红光发射和 634.54 μs 的荧光寿命外,还在 25~250 °C 的宽温范围内具有优异的热稳定性。使用共聚物 PM-Eu-Ir 制作的 LED 发出的红光亮度为 149800 cd/m2。研究结果表明,所制备的共聚荧光粉可作为红光元件用于制造近紫外芯片白光 LED。
稀土发光离子 双金属配合物 共聚型高分子荧光粉 紫外LED rare-earth luminescent ions bimetallic complexes copolymer phosphors NUV LED chips 
中国光学
2024, 17(2): 468
蔡元浩 1,2付秀华 1,2,*林兆文 2,3王奔 2,3[ ... ]付广元 1,2
作者单位
摘要
1 长春理工大学光电工程学院,吉林 长春 130022
2 长春理工大学中山研究院,广东 中山 528437
3 中山吉联光电科技有限公司,广东 中山 528437
为抑制非相干光产生的干扰,提高紫外单色仪的分辨率,本文选择Al2O3、AlF3分别作为高、低折射率材料,在熔融石英基底上设计并制备了深紫外全介质高陡度滤光膜。通过优化沉积工艺及膜层应力分析方法,解决了薄膜应力过大所导致的膜裂问题;并对实验结果进行反演分析,通过优化监控方法提高了膜厚控制精度。制备的深紫外高陡度滤光膜在232~400 nm平均透过率为97.67%,在115~228 nm平均透过率为0.61%,过渡区陡度为3.6 nm,满足紫外单色仪的使用需求。
光学薄膜 紫外单色仪 紫外滤光膜 高陡度 薄膜应力 
光学学报
2024, 44(7): 0731001
李逵 1,4孟润宇 2,3李睿晅 1,4张光银 1,4[ ... ]樊仲维 4,*
作者单位
摘要
1 中国科学院空天信息创新研究院,北京 100094
2 云南大学物理与天文学院,云南 昆明 650216
3 中国科学院云南天文台,云南 昆明 650216
4 中国科学院大学光电学院,北京 100049
5 北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院,北京 100191
开发了由高重复频率(3 kHz)高能量(3 mJ)钛蓝宝石激光器驱动的极紫外和软X射线高次谐波激光光源。该光源系统在30 nm(光子能量为~45 eV)波长附近实现了大于120 μW的平均功率,在13.46 nm波长(光子能量为~92 eV)处实现了1.9 μW的平均功率,其中在13.46 nm波长处带宽为0.124 nm的单个谐波实现了0.32 μW的平均功率。此外,在该系统中,激光功率连续12 h的不稳定性均方根小于5%,连续8 h光束指向均方根小于10 µrad。该系统在生物成像、干涉光刻和芯片检测等领域中具有重要应用。
激光器 高次谐波 紫外激光 13.5 nm光源 软X射线 飞秒激光 
中国激光
2024, 51(7): 0701011
魏子娟 1高熙泽 1孟翔宇 1李政言 1,4,*[ ... ]陆培祥 3,4,***
作者单位
摘要
1 华中科技大学光学与电子信息学院,湖北 武汉 430074
2 华中科技大学物理学院,湖北 武汉 430074
3 华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北 武汉 430074
4 湖北光谷实验室,湖北 武汉 430074
超短超强激光脉冲驱动的高次谐波是一种极紫外到软X射线波段的光源,具有指向性好、时空相干性高、亮度高等优点。高次谐波不但是在阿秒时间尺度上研究电子动力学的基础,而且其各类技术优点也使之成为一种有效的桌面型极紫外相干光源,在集成电路制造在线检测、材料科学、生物医药等领域中具有广泛应用。然而,受限于传统钛蓝宝石固体飞秒激光的平均功率和高次谐波传播过程中的转换效率,目前高次谐波极紫外光源的平均功率亟待提高。介绍了高重复频率、高平均功率高次谐波极紫外光源的产生方式及其应用。首先介绍了光纤、固体、啁啾光学参量放大器等新型高重复频率、高平均功率飞秒激光驱动源在高次谐波产生方面的研究进展,之后讨论了激光高次谐波在弱电离气体介质中的宏观传播效应和相位匹配条件。在此基础上,介绍了高平均功率高次谐波极紫外光源在成像检测方面的应用。
非线性光学 高次谐波 紫外光源 飞秒激光器 紫外成像检测 
中国激光
2024, 51(7): 0701001
作者单位
摘要
吉林大学 电子科学与工程学院, 集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春  130012
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺在p-GaAs(100)衬底上外延了Ga2O3薄膜并制备了n-Ga2O3/p-GaAs异质结日盲紫外探测器。通过X射线衍射仪、原子力显微镜、场发射扫描电子显微镜等方法对Ga2O3薄膜表面形貌、晶体质量进行了测试与分析。结果表明,Ga2O3薄膜呈单一晶向,薄膜表面平整且为Volmer-Weber模式外延。测试表明,n-Ga2O3/p-GaAs异质结探测器具有明显的整流特性。器件在5 V反向偏压和紫外光(254 nm)照射下实现了超过3.0×104的光暗电流比、7.0 A/W的响应度、3412%的外量子效率、4.6×1013 Jones的探测率。我们利用TCAD软件对器件结构进行仿真,得到了器件内的电场分布和能带结构,并分析了器件的工作原理。该异质结探测器性能较好,制造工艺简单,为Ga2O3超灵敏日盲紫外探测器的研制提供了新途径。
氧化镓 金属有机化学气相沉积 异质结 日盲紫外探测器 Ga2O3 metal-organic chemical vapor deposition(MOCVD) heterojunction solar-blind UV photodetectors 
发光学报
2024, 45(3): 476
作者单位
摘要
1 哈尔滨工业大学光电子信息科学与技术系,黑龙江 哈尔滨 150080
2 哈尔滨工业大学可调谐激光技术国家级重点实验室,黑龙江 哈尔滨 150080
毛细管放电极紫外激光是一种小型化的纳秒极紫外激光光源。相比自由电子激光和同步辐射等短波长光源,该光源具有运行成本低、单脉冲能量高和机时充足等显著优势。随着毛细管放电极紫外激光光源的发展,其输出已提高至深度饱和区,并且实现了重复频率输出、多波长输出等多样化输出方式。小型化的灵活性和优质的输出参数使其逐渐成为进行极紫外激光应用研究的理想光源。本文介绍了自1994年毛细管放电极紫外激光成功输出至今,该光源在微纳结构加工、物质成分检测、生物科学以及高分辨成像等领域的前沿应用。在微纳加工方面,极短的波长和极小的能量衰减深度使得该光源能够在纳米量程内进行材料的刻蚀。同时,较长的激光脉宽增加了极紫外激光诱导自组织微纳结构的可能性。在物质成分检测方面,极紫外激光的高能量光子能够以单光子电离材料表面,结合飞行时间质谱仪测量纳米尺度范围内的材料成分,便可实现超高分辨的物质组成分布检测。在生物科学领域,极紫外激光能够实现对微观生物样本的三维成分扫描,获得更多的表征信息。在高分辨成像方面,基于极紫外激光的短波长和良好的相干性,以Gabor同轴等方法进行高分辨成像能达到接近照明光水平的成像分辨率。已有的应用成果表明,毛细管放电极紫外激光是探索微观世界、制造微观结构的有力工具。在人类对短波长光源需求日益增长的今天,毛细管放电极紫外激光将有更多的机会展现它的应用价值和优势。
激光技术 紫外激光 毛细管放电 激光微纳加工 高分辨成像 质谱检测 
中国激光
2024, 51(7): 0701009
作者单位
摘要
1 太原学院 材料与化学工程系,山西太原030032
2 哈尔滨工业大学 材料科学与工程学院,黑龙江哈尔滨150001
为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测,基于Ag修饰的Bi2O3纳米块(Ag/Bi2O3)纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi2O3纳米块,随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子,进而成功制备了Ag/Bi2O3纳米块,且对所制备样品的晶体结构和微观形貌等进行了表征。结果表明,Ag/Bi2O3纳米块的平均尺寸约为1 μm,且Ag纳米粒子随机分布在Bi2O3纳米块表面。将涂覆Ag/Bi2O3纳米块的FTO作为工作电极,并进一步构建了自供能紫外探测器。在365 nm的紫外光照射下,Ag/Bi2O3纳米块紫外探测器能在零偏压下实现对紫外光的快速检测,这证实其具有自供能特性。相比于Bi2O3纳米块紫外探测器,Ag/Bi2O3纳米块紫外探测器的光电流得到明显提升,上升和下降时间分别缩短至29.1 ms和40.2 ms,并具有良好的循环稳定性。
紫外探测器 Bi2O3纳米块 Ag纳米粒子 自供能探测 ultraviolet photodetector Bi2O3 nanoblocks Ag nanoparticles self-powered detection 
光学 精密工程
2024, 32(5): 653

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