为了实现在无外部供能下对紫外光的有效探测，基于Ag修饰的Bi₂O₃纳米块（Ag/Bi₂O₃）纳米块制备了自供能紫外探测器。通过煅烧法制备Bi₂O₃纳米块，随后采用室温溶液法在其表面沉积Ag纳米粒子，进而成功制备了Ag/Bi₂O₃纳米块，且对所制备样品的晶体结构和微观形貌等进行了表征。结果表明，Ag/Bi₂O₃纳米块的平均尺寸约为1 μm，且Ag纳米粒子随机分布在Bi₂O₃纳米块表面。将涂覆Ag/Bi₂O₃纳米块的FTO作为工作电极，并进一步构建了自供能紫外探测器。在365 nm的紫外光照射下，Ag/Bi₂O₃纳米块紫外探测器能在零偏压下实现对紫外光的快速检测，这证实其具有自供能特性。相比于Bi₂O₃纳米块紫外探测器，Ag/Bi₂O₃纳米块紫外探测器的光电流得到明显提升，上升和下降时间分别缩短至29.1 ms和40.2 ms，并具有良好的循环稳定性。

为了获得高性能和低成本的氧化锌（ZnO）基紫外光探测器，使用Ga掺杂ZnO（ZnO∶Ga）作为光敏层，采用水热法合成了不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒，Ga与Zn的原子比分别为0%（未掺杂），0.5%，1%，2%和4%。使用X射线衍射仪（XRD）测试所有样品的晶体结构，发现它们都为六方纤锌矿结构的ZnO。采用扫描电子显微镜（SEM）观察它们的形貌，都呈现棒状结构。进一步，制备叉指图案氟掺杂的氧化锡（FTO）导电玻璃基底，将不同Ga掺杂浓度ZnO∶Ga微米棒分别涂覆在FTO上，得到5种简单结构的紫外光探测器，系统研究了它们的性能。结果表明：所有ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器对365 nm紫外光表现出良好的响应。其中，1% Ga掺杂ZnO∶Ga微米棒紫外光探测器性能最佳，经计算，在365 nm波长处，它的响应度、增益和比探测率分别为13.13 A/W （5 V），44.63 （5 V），3.31×10¹² Jones，响应时间和衰减时间分别为12.3 s和36.4 s。说明在ZnO微米棒中进行合适Ga掺杂能有效提高紫外光探测器的性能。该研究有助于基于ZnO∶Ga材料的紫外光探测器及相关器件发展。

ZnO宽禁带半导体紫外光电探测器具有稳定性高、成本低等诸多优势，在**、医疗、环境监测等领域具有重要的应用前景。本文采用射频磁控技术在SiO₂衬底上制备了ZnO薄膜，在此基础上获得了具有高增益的金属?半导体?金属（MSM）结构的ZnO紫外光电探测器。10 V偏压下，探测器的响应度和外量子效率分别为4.90 A/W和1668%。这是由于光照情况下，半导体与金属界面处的空穴俘获产生高增益所导致的。此外，进一步研究了增益效应、外加偏压和耗尽层宽度对ZnO紫外光电探测器响应度的调控规律与影响机制，为高性能紫外光电探测器的研制与性能调控提供了重要的参考依据。

紫外探测技术是继红外探测与激光探测技术之后的又一项军民两用探测技术，有广阔的应用前景。真空光电倍增管和Si基光电二极管是常见的商品化紫外探测器，但是真空光电倍增管易受高温和电磁辐射干扰，需要在高压下工作；而Si基光电二极管需要昂贵的滤光片。宽禁带半导体紫外探测器克服了上述两种器件面临的一些问题，成为紫外探测器研究的热点。其中宽禁带氧化物材料，具有易于制备高响应高增益器件、有丰富的微纳结构、易于制备微纳器件的特点，引起了人们的广泛关注。本文对宽禁带半导体氧化物材料的微纳结构器件进行梳理，对近年来的一些相关研究进行了综述。其中涉及的氧化物材料包括ZnO，Ga₂O₃，SnO₂，TiO₂等，涉及的器件结构包括金属-半导体-金属型器件，肖特基结型器件，异质结型器件等。