电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 611731
为了提高Ga2O3 基日盲紫外探测器的性能，本文使用分子束外延方法对β-Ga2O3 薄膜进行Sn 掺杂，并制备成MSM 型日盲紫外探测器。结果表明，Sn 掺杂可以改变薄膜晶体结构，使氧化镓薄膜由单晶向多晶相转变。同时，Sn掺杂紫外探测器的光电流和响应度相比于未掺杂器件产生了较大的提升，在254 nm、42 μW/cm2 紫外光照下，Sn 源温度900 ℃制备的薄膜探测器响应度为444.51 A/W，远高于未掺杂器件。此外，器件的-3 dB 截止波长从252 nm 调整到274 nm，表明Sn 掺杂可以有效调控紫外响应的波长。Sn 掺杂也会引入杂质能级，导致器件时间响应特性变差。
Sn 掺杂 β-氧化镓 日盲紫外探测器 响应度 Sn doping β-Ga2O3 solar blind ultraviolet photodetector responsivity
1 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川成都 611731
2 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室，四川 成都 611731
局域表面等离子体共振是一种改善光电探测器性能的有效方法。本文为了提高beta-氧化镓(β-Ga2O3)薄膜金属-半导体-金属(MSM)日盲紫外探测器的性能，提出了在beta-氧化镓薄膜表面利用快速热退火的方法形成分散的铝纳米粒子(Al-NPs)，增强薄膜对光的吸收。运用此方法制备的Al-NPs/β-Ga2O3探测器不仅降低了暗电流，同时也提升了光响应度和探测率。在波长254 nm 紫外光照、10 V 偏压下，该器件的光响应度达到了2.7 A/W，探测率达到了1.35′1014 cm×Hz1/2×W-1，与β-Ga2O3探测器相比，分别提升了1.5倍和2倍。
局域表面等离子体共振 铝纳米粒子 beta-氧化镓 日盲紫外探测器 localized surface plasmon resonance (LSPR) Al nanoparticles b-Ga2O3 solar-blind ultraviolet photodetectors
电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
以In2O3和GeO2为原料, 采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜, 利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属半导体金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量, 结果显示：在波长为250nm的紫外光照射下, 在5V偏压下, 器件的光电流为727μA(暗电流为12μA), 光响应度达到262.9A·W-1, 光响应上升时间约为67s, 下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明：In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。
In2Ge2O7薄膜 碳还原法 紫外探测器 In2Ge2O7 thin film carbothermal reduction method ultraviolet photodetector
