电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
以In2O3和GeO2为原料, 采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜, 利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属半导体金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量, 结果显示：在波长为250nm的紫外光照射下, 在5V偏压下, 器件的光电流为727μA(暗电流为12μA), 光响应度达到262.9A·W-1, 光响应上升时间约为67s, 下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明：In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。
In2Ge2O7薄膜 碳还原法 紫外探测器 In2Ge2O7 thin film carbothermal reduction method ultraviolet photodetector
