电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室, 成都 610054
以In2O3和GeO2为原料, 采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜, 利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属半导体金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量, 结果显示：在波长为250nm的紫外光照射下, 在5V偏压下, 器件的光电流为727μA(暗电流为12μA), 光响应度达到262.9A·W-1, 光响应上升时间约为67s, 下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明：In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。
In2Ge2O7薄膜 碳还原法 紫外探测器 In2Ge2O7 thin film carbothermal reduction method ultraviolet photodetector
长春理工大学 材料科学与工程学院,吉林 长春 130022
制备了用于宽频谱红外上转换的SrS:Eu,Sm荧光粉。XRD分析表明,在1100℃,灼烧1h 获得的SrS:Eu,Sm样品较理想,为SrS的面心立方结构;激发光谱表明,样品可被紫外和可见光有效激发;样品的荧光发射光谱由4个发射峰组成,峰值分别位于567,589,602和648 nm。红外上转换发光光谱是峰值位于595 nm附近的宽带谱,样品的红外响应范围主要位于800-1400 nm。
碳还原法 红外可见转换 宽频谱 SrS:Eu SrS:Eu Sm Sm Carbon reduce method Infrared-visible conversion Broad frequency
1 长春理工大学,材料与化工学院,吉林,长春,130022
2 长春理工大学,材料与化工学院,吉林,长春,130022??br>
采用碳还原法,制备了电子俘获型红外上转换材料(CaS:Eu,Sm).研究了反应机理、还原原理、红外上转换机理以及灼烧温度对 CaS晶格形成和发光性能的影响.样品的XRD测试结果表明, CaS:Eu,Sm为面心立方结构,样品的激发谱位于200～600nm,样品的荧光发射光谱是峰值分别位于567nm,606nm和630nm的宽带谱,上转换发光峰值位于625nm,上转换发光的光谱响应范围位于800～1600nm.
碳还原法 红外上转换 电子俘获 CaS: Eu CaS:Eu Sm Sm carbon reducing method infrared up-conversion electron trapping
