人工晶体学报, 2020, 49 (8): 1534, 网络出版: 2020-11-11   

Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究

Study on the Luminescence Properties of Ge-doped β-Ga2O3 Crystals
作者单位
1 同济大学高等研究院物理科学与工程学院,先进微结构材料教育部重点实验室, 上海 200092
2 同济大学化学科学与工程学院, 上海 200092
3 上海蓝宝石晶体工程研究中心, 上海 200092
基本信息
DOI: --
中图分类号: O73
栏目: 研究论文
项目基金: Scientific and Innovative Action Plan of Shanghai (18511110502)、 Equipment Pre-research Fund Key Project (6140922010601)
收稿日期: --
修改稿日期: --
网络出版日期: 2020-11-11
通讯作者: 唐慧丽 (tanghl@tongji.edu.cn)
备注: --

何诺天, 唐慧丽, 刘波, 张浩, 朱智超, 赵衡煜, 徐军. Ge掺杂β-Ga2O3晶体的发光性能研究[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(8): 1534. HE Nuotian, TANG Huili, LIU Bo, ZHANG Hao, ZHU Zhichao, ZHAO Hengyu, XU Jun. Study on the Luminescence Properties of Ge-doped β-Ga2O3 Crystals[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(8): 1534.

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