赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4电子结构和光学性质

论文大纲

作者单位

复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室, 上海 200433

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明：三种材料均为间接带隙半导体材料, 与同类的碳化物相比, 具有相对大的静态介电常数。研究结果为这类材料的应用提供了理论依据。

Abstract

参考文献

[1] M. L. Cohen. Science, 1993, 261(5119):307～308

[2] M. Huang et al.. Phys. Rev. B, 2004, 69:054112

[3] M. Huang et al.. Phys. Rev. B, 2004, 70:184116

[4] M. Xu et al.. Opt. Exp., 2006, 14(2):710～715

[5] W. Y. Ching et al.. Phys. Rev. B, 2001, 63(24):245110

徐明, 王松有, 陈良尧. 赝立方结构的Si₃P₄、Ge₃P₄、Sn₃P₄电子结构和光学性质[J]. 激光与光电子学进展, 2007, 44(2): 30. 徐明, 王松有, 陈良尧. [J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2007, 44(2): 30.

关于本站 Cookie 的使用提示