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相同关键词【IVA族磷化物】论文列表

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中国光学2006

赝立方结构的Si₃P₄、Ge₃P₄、Sn₃P₄电子结构和光学性质

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徐明王松有 ^*陈良尧

作者单位

摘要

复旦大学先进光子学材料与器件国家重点实验室, 上海 200433

采用基于密度泛函理论的第一性原理研究了赝立方结构的Si3P4、Ge3P4、Sn3P4的电子结构和光学性质。结果表明：三种材料均为间接带隙半导体材料, 与同类的碳化物相比, 具有相对大的静态介电常数。研究结果为这类材料的应用提供了理论依据。

IVA族磷化物电子结构光学性质第一性原理

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激光与光电子学进展

2007, 44(2): 30

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