中国激光, 2016, 43 (10): 1003001, 网络出版: 2016-10-12
充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响
Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation
基本信息
| DOI: | 10.3788/cjl201643.1003001 |
| 中图分类号: | O484.4 |
| 栏目: | 材料与薄膜 |
| 项目基金: | 国家自然科学基金(61308012) |
| 收稿日期: | 2016-04-18 |
| 修改稿日期: | 2016-05-12 |
| 网络出版日期: | 2016-10-12 |
| 通讯作者: | 郑如玺 (rxzheng@siom.ac.cn) |
| 备注: | -- |
郑如玺, 易葵, 范正修, 邵建达, 涂飞飞. 充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响[J]. 中国激光, 2016, 43(10): 1003001. Zheng Ruxi, Yi Kui, Fan Zhengxiu, Shao Jianda, Tu Feifei. Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation[J]. Chinese Journal of Lasers, 2016, 43(10): 1003001.
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