中国激光, 2016, 43 (10): 1003001, 网络出版: 2016-10-12
充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响
Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation
薄膜 HfO2薄膜 充氧口位置 k-ε模型 电子束蒸发 数值模拟 thin films HfO2 film oxygenating port position k-ε model electron beam evaporation numerical simulation
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