中国激光, 2016, 43 (10): 1003001, 网络出版: 2016-10-12   

充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响

Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation
作者单位
1 中国科学院上海光学精密机械研究所强激光材料重点实验室, 上海 201800
2 中国科学院大学, 北京 100049
引用该论文

郑如玺, 易葵, 范正修, 邵建达, 涂飞飞. 充氧口位置对电子束蒸发沉积HfO2薄膜性质的影响[J]. 中国激光, 2016, 43(10): 1003001.

Zheng Ruxi, Yi Kui, Fan Zhengxiu, Shao Jianda, Tu Feifei. Influence of Oxygenating Port Position on Properties of HfO2 Films Deposited by Electron Beam Evaporation[J]. Chinese Journal of Lasers, 2016, 43(10): 1003001.

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