中国激光, 2018, 45 (10): 1002002, 网络出版: 2018-10-12   

多晶硅表面皮秒激光阵列孔绒面制备 下载: 890次

Fabrication of Array Pores on Polysilicon Surface by Picosecond Laser
作者单位
温州大学机电工程学院, 浙江 温州 325035
图 & 表

图 1. 实验装置及制绒样品示意图

Fig. 1. Schematic of experimental equipment and textured samples

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图 2. 波长为700 nm的入射光在微孔中的电场分布

Fig. 2. Electric field distribution of incident light with wavelength of 700 nm within micro-pores

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图 3. 孔距对反射率的影响

Fig. 3. Effect of different hole distances on reflectivity

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图 4. 各工艺参数对多晶硅表面凹坑刻蚀深度的影响。(a)激光功率;(b)脉冲频率;(c)扫描速度;(d)扫描次数

Fig. 4. Effects of each process parameter on pit etching depth on polysilicon surface. (a) Laser power; (b) pulse frequency; (c) scanning speed; (d) number of scannings

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图 5. 不同孔距下的激光刻蚀多晶硅样品。(a1)(b1)(c1)(d1)显微形貌;(a2)(b2)(c2)(d2)相应的截面曲线

Fig. 5. Laser-etched polysilicon samples at different pore pitches. (a1)(b1)(c1)(d1) Micro-morphologies; (a2)(b2)(c2)(d2) corresponding curves of cross sections

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图 6. 孔距d=20 μm时激光刻蚀多晶硅样品的三维形貌

Fig. 6. 3D topography of laser-etched polysilicon sample at pore pitch d=20 μm

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图 7. 不同工艺制绒的多晶硅样品的反射率

Fig. 7. Reflectivity of textured polysilicon samples under different surface textures

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图 8. 激光刻蚀与化学腐蚀样品的LSCM图。(a)激光刻蚀,d=30 μm;(b)激光刻蚀样品单孔的剖视图,d=30 μm;(c)化学腐蚀

Fig. 8. LSCM images of laser etched and chemically etched samples. (a) Laser etching, d=30 μm; (b) cut-open view for single pore of laser etched sample, d=30 μm; (c) chemical etching

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图 9. 未制绒、激光制绒及化学腐蚀制绒硅片样品的I-U关系

Fig. 9. I-U curves of untextured, laser textured, and chemically etched silicon samples

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表 1仿真结果

Table1. Simulation results

ConditionOpen circuit voltage /mVShort circuit current /AFill factor /%Cell efficiency /%
Untextured624.06.51183.1013.87
Chemical etching627.27.54282.5716.05
d=30μm629.58.60582.8918.45
d=40μm629.98.52782.9918.32
d=50μm629.48.36783.2118.01
d=60μm628.58.07583.4117.39

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贾天代, 冯爱新, 陈欢, 刘勇. 多晶硅表面皮秒激光阵列孔绒面制备[J]. 中国激光, 2018, 45(10): 1002002. Jia Tiandai, Feng Aixin, Chen Huan, Liu Yong. Fabrication of Array Pores on Polysilicon Surface by Picosecond Laser[J]. Chinese Journal of Lasers, 2018, 45(10): 1002002.

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