人工晶体学报, 2020, 49 (5): 771, 网络出版: 2020-08-06   

中红外激光晶体Dy∶PbGa2S4的生长与器件制备

Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy∶PbGa2S4
方攀 1,2袁泽锐 1,2陈莹 1,2尹文龙 1,3康彬 1,3
作者单位
1 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999
2 四川省新材料研究中心,成都 610200
3 中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621999
基本信息
DOI: --
中图分类号: O782+.9
栏目: 研究快报
项目基金: 中国工程物理研究院化工材料研究所攻关项目
收稿日期: --
修改稿日期: --
网络出版日期: 2020-08-06
通讯作者:
备注: --

方攀, 袁泽锐, 陈莹, 尹文龙, 康彬. 中红外激光晶体Dy∶PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771. FANG Pan, YUAN Zerui, CHEN Ying, YIN Wenlong, KANG Bin. Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy∶PbGa2S4[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(5): 771.

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