人工晶体学报, 2020, 49 (5): 771, 网络出版: 2020-08-06   

中红外激光晶体Dy∶PbGa2S4的生长与器件制备

Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy∶PbGa2S4
方攀 1,2袁泽锐 1,2陈莹 1,2尹文龙 1,3康彬 1,3
作者单位
1 中国工程物理研究院化工材料研究所,绵阳 621999
2 四川省新材料研究中心,成都 610200
3 中国工程物理研究院高能激光科学与技术重点实验室,绵阳 621999
引用该论文

方攀, 袁泽锐, 陈莹, 尹文龙, 康彬. 中红外激光晶体Dy∶PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771.

FANG Pan, YUAN Zerui, CHEN Ying, YIN Wenlong, KANG Bin. Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy∶PbGa2S4[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(5): 771.

参考文献

[1] Basiev T T, Doroshenko M E, Osiko V V, et al. Mid IR laser oscillations in new low phonon PbGa2S4∶Dy3+ crystal[C]. Advanced Solid State Photonics,2005.

[2] Doroshenko M E, Basiev T T, Osiko V V, et al. Oscillation properties of dysprosium-doped lead thiogallate crystal[J]. Optics Letters,2009,34(5): 590-592.

[3] ulc J, Jelínková H, Doroshenko M E, et al. Dysprosium-doped PbGa2S4 laser excited by diode-pumped Nd∶YAG laser[J]. Optics Letters,2010,35(18): 3051-3053.

[4] Jelínková H, Doroshenko M E, Jelínek M, et al. Dysprosium-doped PbGa2S4 laser generating at 4.3 μm directly pumped by 1.7 μm laser diode[J]. Optics Letters,2013,38(16): 3040-3043.

[5] Jelinkova H, Doroshenko M E, Osiko V V, et al. Dysprosium thiogallate laser: source of mid-infrared radiation at 2.4, 4.3, and 5.4 μm[J]. Applied Physics A,2016,122(8): 738-1-8.

[6] Huang C, Ni Y, Wu H, et al. Crystal growth and first-principles calculations of the mid-IR laser crystal Dy3+∶PbGa2S4[J]. Crystal Growth and Design,2020,20: 845-850.

方攀, 袁泽锐, 陈莹, 尹文龙, 康彬. 中红外激光晶体Dy∶PbGa2S4的生长与器件制备[J]. 人工晶体学报, 2020, 49(5): 771. FANG Pan, YUAN Zerui, CHEN Ying, YIN Wenlong, KANG Bin. Growth and Device Fabrication of Mid-infrared Laser Crystal Dy∶PbGa2S4[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2020, 49(5): 771.

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