红外与毫米波学报, 2017, 36 (2): 186, 网络出版: 2017-06-06
替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理
Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates
基本信息
DOI: | 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.02.010 |
中图分类号: | O472+.4 |
栏目: | |
项目基金: | 国家自然科学基金(61306062) |
收稿日期: | 2016-07-25 |
修改稿日期: | 2016-12-13 |
网络出版日期: | 2017-06-06 |
通讯作者: | 赵真典 (zzdkevin@126.com) |
备注: | -- |
赵真典, 陈路, 傅祥良, 王伟强, 沈川, 张彬, 卜顺栋, 王高, 杨凤, 何力. 替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理[J]. 红外与毫米波学报, 2017, 36(2): 186. ZHAO Zhen-Dian, CHEN Lu, FU Xiang-Liang, WANG Wei-Qiang, SHEN Chuan, ZHANG Bin, BU Shun-Dong, WANG Gao, YANG Feng, HE Li. Dark current mechanism in long-wavelength HgCdTe infrared detectors on alternative substrates[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2017, 36(2): 186.