红外与毫米波学报, 2019, 38 (4): 04459, 网络出版: 2019-10-14
基于金属-半导体-金属结构的Bi2Te3室温高响应率太赫兹探测器
High responsivity Bi2Te3-based room temperature terahertz detector based on metal-semiconductor-metal structure
基本信息
DOI: | 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.04.011 |
中图分类号: | O511;O782 |
栏目: | |
项目基金: | 国家自然科学基金(61625505,61604160),上海市自然科学基金(16JC1403400,17ZR1444100,17ZR1411500) |
收稿日期: | 2018-12-10 |
修改稿日期: | -- |
网络出版日期: | 2019-10-14 |
通讯作者: | 徐新月 (18817831389@163.com) |
备注: | -- |
徐新月, 张晓东, 吴敬, 江林, 吴彩阳, 姚娘娟, 曲越, 周炜, 尹一鸣, 黄志明. 基于金属-半导体-金属结构的Bi2Te3室温高响应率太赫兹探测器[J]. 红外与毫米波学报, 2019, 38(4): 04459. XU Xin-Yue, ZHANG Xiao-Dong, WU Jing, JIANG Lin, WU Cai-Yang, YAO Niang-juan, QU Yue, ZHOU Wei, YIN Yi-Ming, HUANG Zhi-Ming. High responsivity Bi2Te3-based room temperature terahertz detector based on metal-semiconductor-metal structure[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2019, 38(4): 04459.