红外与毫米波学报, 2019, 38 (4): 04459, 网络出版: 2019-10-14  

基于金属-半导体-金属结构的Bi2Te3室温高响应率太赫兹探测器

High responsivity Bi2Te3-based room temperature terahertz detector based on metal-semiconductor-metal structure
作者单位
1 东华大学 理学院 应用物理系,上海 201620
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室,上海 200083
3 上海智能电子与系统研究所,上海 201620
4 中国科学院大学,北京 100049
基本信息
DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2019.04.011
中图分类号: O511;O782
栏目:
项目基金: 国家自然科学基金(61625505,61604160),上海市自然科学基金(16JC1403400,17ZR1444100,17ZR1411500)
收稿日期: 2018-12-10
修改稿日期: --
网络出版日期: 2019-10-14
通讯作者: 徐新月 (18817831389@163.com)
备注: --

徐新月, 张晓东, 吴敬, 江林, 吴彩阳, 姚娘娟, 曲越, 周炜, 尹一鸣, 黄志明. 基于金属-半导体-金属结构的Bi2Te3室温高响应率太赫兹探测器[J]. 红外与毫米波学报, 2019, 38(4): 04459. XU Xin-Yue, ZHANG Xiao-Dong, WU Jing, JIANG Lin, WU Cai-Yang, YAO Niang-juan, QU Yue, ZHOU Wei, YIN Yi-Ming, HUANG Zhi-Ming. High responsivity Bi2Te3-based room temperature terahertz detector based on metal-semiconductor-metal structure[J]. Journal of Infrared and Millimeter Waves, 2019, 38(4): 04459.

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