以典型的20 m²小型定日镜为对象，采用光-机集成建模方法，研究了自重和风载荷联合作用下定日镜的服役光学精度特性，综合考虑了定日镜工作高度角、风压大小和关键结构参数的影响。结果表明，沿镜面横向的斜率误差分量D_x要明显大于沿其竖向的D_y，螺栓数量N增加对D_x影响不显著，但能显著减小D_y，反射镜面自身刚度弱是其服役光学精度下降的主要原因；机架中角钢型材的边长a在30~50 mm之间对光学精度影响较小，但厚度t对光学精度的影响较为显著。定日镜结构变形与镜面斜率误差均随着风压载荷的增加而线性增加，且不同高度角β下总镜面斜率误差变化曲线斜率基本一致；仅在自重作用下，高度角0°~90°内总斜率误差能控制在1.45 mrad以内；镜面变形与其斜率误差分布规律完全不同，镜面斜率误差与镜面变形之间并非呈线性正比关系，采用光学精度进行评价或指导定日镜结构优化设计是最佳途径。

以SiC、硅粉、SiO2等为原料，通过反应烧结制备Si3N4-SiC陶瓷样品，并进行高温氧化，研究了高温氧化前后的结构与力学性能。结果表明：高温氧化前后样品中均存在SiC、α-Si3N4/β-Si3N4主晶相和少量单质Si、Si2N2O、方石英三斜SiO2，高温氧化后单质Si相消失，方石英四方SiO2出现。高温氧化前后β-Si3N4质量分数维持不变，而α-Si3N4质量分数由11.3%下降至6.8%，并伴随Si2N2O和SiO2质量分数的提升，表明α-Si3N4较β-Si3N4更容易氧化分解为Si2N2O和SiO2。高温氧化导致平均抗折强度由(68.55±6.36) MPa下降至(49.80±4.96) MPa，主要与氧化导致α-Si3N4质量分数下降有关。

采用高功率双光束激光-金属活性气体（MAG）复合焊接技术对Q355ND钢进行焊接。通过调整双光束能量比分析激光能量密度分布对焊缝横截面成形、熔深及熔宽的影响，并获得了27 mm厚板“Y”型单面焊双面成型良好的对接接头。然后分析了焊缝区、热影响区的显微组织和主要元素分布，测定了焊接接头的显微硬度。试验结果表明，随着激光能量比的增大，焊缝熔深表现为先减小后增大的变化趋势，能量比的变化对熔宽影响较小，在激光能量比为0.75时获得了最深的焊缝熔深。通过调整能量比，所焊接的对接接头焊缝显微组织主要为铁素体和贝氏体。在焊接接头熔合线附近元素均匀分布，未出现元素迁移现象。硬度峰值出现在靠近熔合线热影响区附近，焊缝区硬度明显高于母材，热影响区硬度随着与焊缝中心距离的增加而逐渐减小。

偏振成像技术的优势是把信息量从 3 个自由度，即光强、光谱和空间，扩充到 7个自由度，包括光强、光谱、空间、偏振度、偏振方位角、偏振椭率和旋转方向，这种观测信息量的丰富有利于提高对研究目标探测的精确度。本文首先介绍在近几十年内偏振成像技术在国内外的研究进展，其次介绍偏振技术在**及民用领域的典型应用，最后对我国在偏振成像技术方面存在的问题给出合理的建议。

基于二维拓扑绝缘体Bi2Te3材料利用微纳工艺制备了金属-拓扑绝缘体-金属(MTM)结构的太赫兹光电探测器.器件在0.022 THz的响应率可达2×103 A/W，噪声等效功率(NEP)低于7.5×10-15 W/Hz1/2，探测率D*高于1.62 ×1011 cm·Hz1/2/W；在0.166 THz的响应率可达281.6 A/W，NEP低于5.18×10-14 W/Hz1/2，D*高于2.2×1010 cm·Hz1/2/W；在0.332 THz的响应率可达7.74 A/W，NEP低于1.75×10-12 W/Hz1/2，D*高于6.7 ×108 cm·Hz1/2/W；同时器件在太赫兹波段具有小的时间常数(7~8 μs).该项工作突破了传统光子探测的带间跃迁，实现了可室温工作、高响应率、高速响应以及高灵敏度的太赫兹探测器件.

采用磁控溅射法分别制备了不同组分的Mn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜材料.通过对材料结构分析, 发现在Mn离子数目不变的情况下, 随着Co离子的增加, 晶粒尺寸逐渐增大, 且晶格常数先增大后减小; 在Co离子数目不变的情况下, 随着Mn离子的增加, 薄膜的择优生长晶面由(311)不晶面向(400)晶面转变.对电学性能测试进行分析, 可知薄膜材料既有Mn离子的导电机制, 也有Co离子的导电机制; Mn1.2Co1.5Ni0.3O4具有最低的电阻率(235 Ω·cm), 具有最高的室温负温度电阻系数︱α295︱(4.7%·K-1)值.

采用化学溶液法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上生长了ZnxNi1-xMn2O4(ZNMO, x=0, 0.05, 0.1, 0.15, 0.2, 0.25)尖晶石氧化物薄膜。X射线衍射(XRD)与场发射扫描电子显微镜(FESEM) 分析结果表明, Zn的掺杂浓度对ZNMO薄膜的结晶性和微结构有明显影响。用椭圆偏振光谱仪测量分析了ZNMO薄膜在300-1 100 nm波段的光学常数, 并讨论了Zn掺杂对折射率n和消光系数k的影响。在薄膜的拉曼光谱中观测到两个峰A1g与F2g, A1g模式的相对峰位随着Zn的掺杂浓度x的增大而减小。由于晶格应变与晶格失配, 拉曼峰峰位随Zn掺杂浓度的变化而轻微移动。

采用磁控溅射法制备了厚度为6.5 μm的Mn1.95Co0.77Ni0.28O4组分的薄膜材料，把材料分别在400℃，500℃，600℃，700℃，800℃下进行后退火处理.结果表明，室温下的负电阻温度系数α295值随退火温度增加先增大后减小，而电阻率ρ295则是随退火温度增加逐渐减小的；在相同频率下，500℃退火样品的归一化噪声谱密度 (SV·VR/V2) 最小，700℃退火样品的归一化噪声谱密度最大.退火温度越高会造成越多的晶体缺陷，从而降低有效导热系数、增大时间常数τ和器件噪声.

采用液相外延方法在InAs衬底上制备了InAs0.94Sb0.06外延薄膜.分别通过高分辨率X射线衍射谱和扫描电子显微镜测试对样品的结构特性和截面形貌进行表征分析,外延薄膜的晶体质量较好.利用样品在3 000～6 000 nm波段内的椭圆偏振光谱,结合介电函数模型,拟合得到了室温下InAs衬底和InAs0.94Sb0.06薄膜位于禁带位置附近的的折射率和消光系数光谱.由禁带位置附近的折射率能量增强效应确定InAs0.94Sb0.06薄膜的禁带宽度为0.308 eV.