范崔 1,2,3王小坤 1,2,*季鹏 1,2张磊 1,2[ ... ]李雪 1,2,**
作者单位
摘要
1 中国科学院上海技术物理研究所 传感技术国家重点实验室,上海 200083
2 中国科学院上海技术物理研究所 红外成像材料与器件重点实验室,上海 200083
3 中国科学院大学,北京 100039
影响杜瓦真空寿命的主要是内部材料出气。针对红外探测器杜瓦的出气机理及密封前需长时间排气特点,提出了以满足朗缪尔吸附模型的脱附速率方程作为杜瓦出气率模型的真空寿命评估方法。创新性地提出排气结束时变温监测离子流的方法,获得同覆盖度下不同温度的出气率,消除覆盖度的影响,提取了杜瓦的整体出气激活能,推导出存储温度下初始出气率及出气率随时间变化的关系。实验发现三个杜瓦在不同测试条件下获得的激活能差异为8.8%。跟踪封装2年的杜瓦热负载,验证估算的寿命误差为7.2%。为小批量、多样化杜瓦提供了便利的真空寿命无损检测评估方法。
红外器件 杜瓦 真空寿命 出气率 脱附激活能 infrared detector Dewar vacuum lifetime outgassing activation energy 
红外与毫米波学报
2023, 42(4): 434
作者单位
摘要
1 广东海洋大学 电子与信息工程学院湛江 524088
2 广东海洋大学 化学与环境学院湛江 524088
双钙钛矿因其结构灵活、易于掺杂、热稳定性好等优点,成为近几年的研究热点。稀土掺杂双钙钛矿基质材料的光致发光研究常见报道,但和热释光有关的研究较少。本文采用高温固相法合成了Bi3+和Eu3+共掺的Y2-x-yBixEuyMgTiO6(0≤x<1,0≤y<1)系列样品,并测量了样品的X射线衍射谱(X-ray Diffraction,XRD)、光致发光光谱(Photoluminescence,PL)和热释光谱(Thermoluminescence,TL)。XRD分析表明:样品的晶体结构均为单斜晶系P21/n,Bi3+和Eu3+通过替代Y3+而掺入Y2MgTiO6中;PL表明:样品最佳掺杂浓度为x=0.01、y=0.20,该样品在620 nm附近有较强的红光发射(对应Eu3+5D07F2跃迁),并伴有长余辉;测定不同浓度Bi3+和Eu3+掺杂样品的TL曲线也观察到Y1.79Bi0.01Eu0.20MgTiO6的热释光灵敏度最高,样品在510 K和610 K附近有两个显著的TL峰;热释光谱比荧光谱更为丰富,Eu3+5D07FJJ=1,2,3,4)跃迁均可被观测到,样品的TL光强与辐照剂量在2~1 000 Gy范围内具有良好的线性关系。采用不同预热温度(Tm-Tstop)和计算机拟合(Glow Curve Deconvolution,GCD)两种方法分析样品的TL动力学参数,发现样品中热释光陷阱深度从0.80 eV延伸到1.40 eV。上述测试和分析结果表明:热释光谱比荧光谱更为丰富;Y1.79Bi0.01Eu0.20MgTiO6荧光粉可作为大剂量检测的热释光剂量计材料。
Y2MgTiO6 稀土掺杂 光致发光 热释光 激活能 Y2MgTiO6 Rare-earth doping Photoluminescence Thermoluminescence Activation energy 
核技术
2023, 46(6): 060501
作者单位
摘要
1 山东大学 激光与红外系统集成技术教育部重点实验室, 山东 青岛 266237
2 厦门市三安集成电路有限公司, 福建 厦门 361000
高速波分复用分布式反馈(DFB)激光器是数据通信的核心器件, 其可靠性影响了整个通信系统的可靠性。对自主研发的25 Gb/s 4波长粗波分复用(CWDM4) DFB激光器进行了2种老化筛选(Burn-in)实验和失效分析, 并采用三温法推算了激光器的工作寿命。实验结果表明: 对激光器采用光加速(25 ℃、100 mA)和温度加速(100 ℃、75 mA)相结合的Burn-in方法能够有效激发薄弱激光器的早期失效特征; 采用三温法推算激光器在60 ℃、45 mA环境下长期工作的实际寿命至少为17年。
分布式反馈激光器 可靠性 老化筛选 激活能 寿命 distributed feedback laser, reliability, burn-in, 
光通信技术
2022, 46(6): 1
龚敏刚 1,2,3,*黄海宾 1田罡煜 1高超 1[ ... ]周浪 1
作者单位
摘要
1 南昌大学光伏研究院, 江西 南昌 330031
2 南昌大学理学院, 江西 南昌 330031
3 东南大学毫米波国家重点实验室, 江苏 南京 210096
以SiH4和H2作为气源, 采用热丝化学气相沉积法制备a-Si∶H薄膜钝化c-Si表面, 采用准稳态光电导法和I-V法分析了工艺参数对钝化效果的影响, 采用C-V法和深能级瞬态谱法对钝化后硅片表面的缺陷态进行测试。实验结果表明, 在频率为200 kHz时, 表面复合速率为54 cm/s的硅片的表面缺陷态密度为1.02×1011 eV-1·cm-2, 固定电荷密度为6.12×1011 cm-2; 本征a-Si∶H对硅片表面的钝化效果是由该薄膜在硅片表面引入的氢对应的键终止以及由其引入的固定电荷形成的场钝化效应共同决定的; 本征a-Si∶H钝化后硅片表面的深能级缺陷特征是电子陷阱, 激活能、俘获截面以及缺陷浓度分别为-0.235 eV、1.8×10-18 cm2、4.07×1013 cm-3。
薄膜 非晶硅钝化 表面缺陷 激活能 俘获截面 
激光与光电子学进展
2017, 54(12): 121603
作者单位
摘要
中国科学院上海技术物理研究所 红外物理国家重点实验室, 上海 200083
采用磁控溅射法分别制备了不同组分的Mn-Co-Ni-O(MCNO)薄膜材料.通过对材料结构分析, 发现在Mn离子数目不变的情况下, 随着Co离子的增加, 晶粒尺寸逐渐增大, 且晶格常数先增大后减小; 在Co离子数目不变的情况下, 随着Mn离子的增加, 薄膜的择优生长晶面由(311)不晶面向(400)晶面转变.对电学性能测试进行分析, 可知薄膜材料既有Mn离子的导电机制, 也有Co离子的导电机制; Mn1.2Co1.5Ni0.3O4具有最低的电阻率(235 Ω·cm), 具有最高的室温负温度电阻系数︱α295︱(4.7%·K-1)值.
MCNO薄膜 电学特性 电阻率 激活能 MCNO thin films electrical properties resistivity activation energy 
红外与毫米波学报
2017, 36(2): 144
作者单位
摘要
四川大学原子与分子物理研究所, 成都 610064
本文首次应用拉曼光谱技术对β-Bi2O3进行了温度范围为78~300 K的拉曼光谱研究,在220 K左右,观察到A1(1),A1(2),A1(3),B1几个振动模的半峰宽明显展宽和绝对强度急剧降低的现象.重点讨论了氧离子相关的几个拉曼振动模,指出这种半峰宽展宽的现象是β-Bi2O3内氧离子晶格无序化造成的.借助于理论模型,对氧离子晶格的势能环境进行了理论分析,用半峰宽数据拟合出β-Bi2O3中氧离子无序激活能为0.2 eV.
低温拉曼光谱 氧离子无序 激活能 low-temperature Raman Bi2O3 Bi2O3 oxygen ion disorder activation energy 
光散射学报
2015, 27(2): 148
作者单位
摘要
1 天津理工大学材料物理研究所显示材料与光电器件教育部重点实验室, 天津 300384
2 天津理工大学理学院, 天津 300384
采用熔融淬火法制备了Er3+掺杂53ZrF4-20BaF2-4LaF3-3AlF3-20NaF-2.4PbF2(ZBLAN)氟化物透明玻璃。在10 K~540 K温度范围内,测量了对应于Er3+斯塔克分裂能级4S3/2(1)→4I15/2和4S3/2(2)→4I15/2(对应波长分别为542 nm和548 nm)的变温荧光光谱,结果显示环境温度升高时,样品在两个发射位置的发光强度均快速衰减,但是衰减速率有所差异,结合位形坐标模型讨论认为,两斯塔克能级的激活能分别为ΔE1=0.078 eV和ΔE2=0.049 eV,其差异导致了二者热猝灭速率不同。分析了斯塔克分裂能级跃迁的荧光强度比(FIR)随温度的变化规律,结果显示在低温区域FIR随温度呈现线性增加,而高温区则趋于平缓。计算了样品的温度灵敏度随温度的变化,结果表明,在温度90 K时,灵敏度达到最大为0.0011 K-1。该材料对环境温度敏感性可应用于光学温度传感器。
材料 ZBLAN透明玻璃 荧光强度比 斯塔克能级 激活能 温度灵敏度 
光学学报
2013, 33(8): 0816001
作者单位
摘要
内蒙古科技大学 机械工程学院, 内蒙古 包头014010
为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成, 采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能, 并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能。计算结果表明: 在3N1Ti1Si的几种构型中, Ti-in-3N1Si构型是最低能量的稳定结构, 这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的; 两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小, 更容易实现构型演变; 与2Ti2N1Si构型演变相比, 3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现, 这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离。
界面形成条件 相分离 构型演变 激活能 第一性原理 interface formation condition phase separation configuration evolution diffusion energy first-principles 
发光学报
2013, 34(6): 727
作者单位
摘要
1 东莞理工大学 计算机学院, 广东 东莞 523808
2 华南理工大学 机械与汽车工程学院, 广州 510640
3 东莞理工大学 电子工程学院, 广东 东莞 523808
在经典力学框架内和Seeger方程基础上, 引入正弦平方势,把位错运动方程化为具有外力矩的摆方程。导出了弯结的形成能、弯结宽度、密度以及系统的激活能和弯结对的临界距离等物理量。指出位错在滑移面内的运动可视为弯结沿位错线的迁移与垂直方向的势垒翻越组成。
超晶格 位错 弯结 形成能 激活能 superlattice dislocation kinks formation energy activation energy 
半导体光电
2011, 32(3): 366
作者单位
摘要
北京大学 物理学院, 北京100871
通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析, 得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品, 这种 S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE), 而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明, 含In量越多的材料其局域的能量越大, 由热扰动脱离局域所需要的温度越高。
In团簇 变温PL 激活能 In cluster InGaN InGaN temperature-dependent PL activation energy 
发光学报
2010, 31(6): 864

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