通过对不同In含量的InGaN/GaN量子阱材料的变温光致发光(PL)谱进行实验分析, 得出样品激活能和PL谱峰值能量随温度变化的S形曲线中拐点温度与In含量的关系。说明对于我们的样品, 这种 S形曲线并不是来源于量子限制Stark效应(QCSE), 而是与量子阱中In团簇有关。对比结果表明, 含In量越多的材料其局域的能量越大, 由热扰动脱离局域所需要的温度越高。

利用激光拉曼光谱研究了二十六烷的凝结相变过程。 在冷却过程中, 二十六烷经历了从液相→旋转相→固态单斜晶相的相变过程。 主要研究了烷烃分子碳链上CH2弯曲振动、 CH2剪式振动、 C—C伸展振动和CH3平面摇摆等振动模式的变化过程, 包括这些模的频率、 半宽和强度变化等, 研究在相变过程中不同振动模式的的演变顺序和过程, 反映各种振动模式与分子结构的相关性, 并了解反式构象和歪曲构象在相变过程中的变化, 从而更深入的理解烷烃等非晶体物质的相变过程。 此外, 通过分析800～1 500 cm-1波段各个拉曼波峰在降温过程中的变化过程, 得到了二十六烷的旋转相的温度区间, 证明可以利用拉曼光谱来观察烷烃相变过程中出现的旋转相。

研究了光学变条长实验中条的宽度对半导体激光器光增益测量的影响,提出利用光刻溅射处理样品来严格控制泵浦条的宽度，并详细研究了泵浦条宽度与样品增益及饱和长度关系。实验表明：泵浦条宽度越窄，饱和长度越长，但测得的增益系数有所减小。本文利用非平衡载流子扩散模型对此现象进行了解释。

对6H-SiC单晶体材料进行了从80到320 K的低温变温拉曼光谱测量， 从实验得到的谱图上指认了部分6H-SiC的折叠拉曼峰， 重点利用三声子模型和四声子模型分析了A1(LO)光学声子模峰位和线宽在低温下随温度的变化特性。 实验发现， 随着温度降低， LO声子模谱峰中心向高波数移动， 线宽减小； 同时发现当温度低于160 K时， 无论是谱峰中心位置还是线宽的变化都趋于平缓， 这是在常温和高温下观察不到的， 说明在160 K以下时A1(LO)谱线线宽是由声子本身的性质决定， 温度对线宽的影响几乎可忽略； 理论拟合表明， 四声子模型更能与实验数据相符， 三次、 四次非谐振动共同作用， 前者是主要过程； 温度越低， A1(LO)光学声子寿命越长， 这是由于原子热运动的剧烈程度随温度降低而下降， 声子弛豫减弱。

利用激光拉曼光谱监测正二十烷相变过程中的有序无序变化。 发现位于1 300 cm-1处谱峰的积分强度在相变温度区间发生较大变化, 这与以前相关的理论及实验工作存在较大区别, 由此讨论了1 300 cm-1谱峰在有机物及生物膜结构的拉曼光谱实验中作为参考峰的局限性。 此外, 由于序参量可以定量的标定有机物及生物膜结构中各种有序无序结构的含量, 所以成为现在拉曼光谱研究中的一个热点问题。 Meier对于有机物拉曼光谱研究中长时间以来一直使用的序参量定义提出了质疑, 文章的相关实验支持了Meier的看法, 并从实验证据上表明了惯用序参量定义的有限性。

在(0001)蓝宝石衬底上分别用金属有机化学气相沉积技术外延生长了InGaN/GaN, InGaN/InGaN, InGaN/AlInGaN多量子阱激光器结构, 并分别制作了脊形波导GaN基激光器。 同步辐射X射线衍射, 电注入受激发射光谱测试及光功率-电流(L-I)测试证明, 相对于GaN垒材料, InGaN垒材料, AlInGaN四元合金垒材料更能改善多量子阱的晶体质量, 提高量子阱的量子效率及降低激光器阈值电流。 相关的机制为： 组分调节合适的四元合金垒层中Al的掺入使得量子阱势垒高度增加, 阱区收集载流子的能力增强； In的掺入能更多地补偿应力, 减少了由于缺陷和位错所产生的非辐射复合中心密度； In的掺入还减小了量子阱中应力引致的压电场, 电子空穴波函数空间交叠得以加强, 使得辐射复合增加。

用经典力学和双波量子力学计算了氢原子的固有电偶极矩.双波量子理论算得的结果在经典极限下与经典力学的结果一致.普通量子力学对氢原子Stark效应中表现出来的电偶极矩难以做出很好的解释,因为一个波函数描述的是系综而不是单个粒子.经典力学和双波量子力学可描述单个粒子的行为,对永久电偶极矩的计算和解释显得自然而合理.

介绍了飞行器在地球大气层外的主要辐射,给出了飞行器反射背景辐射强度空间分布的计算方法,并运用计算机对距地面几百千米的某圆锥形飞行器中午和晚上在3～5μm和8～14μm波段内辐射强度的空间分布进行了数值计算,得到了合理的结果.

本文报导了~(12)CH3CT和~(12)CH3F分子的激光斯塔克光谱的光声探测实验结果.实验表明,当为了达到高的电场而降低气压时,从斯塔克电极之间产生和传播的光声信号急骤下降.与光电控测法的实验比较表明,在类似的实验条件下,光电探测比光声探测具有更高的灵敏度和信噪比.