内蒙古科技大学 机械工程学院, 内蒙古 包头014010
为了研究Ti-Si-N薄膜生长过程中界面的形成, 采用第一性原理计算了在TiN(001)表面上3N1Ti1Si岛的各构型的总能量和吸附能, 并计算了Si-in-3N1Ti构型转向Ti-in-3N1Si构型的两种演变方式所对应的激活能。计算结果表明: 在3N1Ti1Si的几种构型中, Ti-in-3N1Si构型是最低能量的稳定结构, 这种构型是由SiN相从TiN相中分离出来而形成的; 两种演变方式中以Si粒子迁出Ti粒子迁入所需构型演变的激活能较小, 更容易实现构型演变; 与2Ti2N1Si构型演变相比, 3N1Ti-1Si岛演变中SiN与TiN分离比较容易实现, 这意味着适当增加氮分量有利于SiN与TiN的分离。
界面形成条件 相分离 构型演变 激活能 第一性原理 interface formation condition phase separation configuration evolution diffusion energy first-principles
