半导体光电, 2015, 36 (3): 412, 网络出版: 2015-07-10
应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长
MOCVD Growth of High Quality AlN on Sapphire Substrate by Introducing Thick Buffer Layer
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | TN304.54 |
| 栏目: | 材料、结构及工艺 |
| 项目基金: | -- |
| 收稿日期: | 2014-09-30 |
| 修改稿日期: | -- |
| 网络出版日期: | 2015-07-10 |
| 通讯作者: | 李艳炯 (yanjiong007@126.com) |
| 备注: | -- |
李艳炯, 赵红, 赵文伯, 叶嗣荣, 杨晓波. 应用厚缓冲层实现蓝宝石上高质量AlN外延层的MOCVD生长[J]. 半导体光电, 2015, 36(3): 412. LI Yanjiong, ZHAO Hong, ZHAO Wenbo, YE Sirong, YANG Xiaobo. MOCVD Growth of High Quality AlN on Sapphire Substrate by Introducing Thick Buffer Layer[J]. Semiconductor Optoelectronics, 2015, 36(3): 412.
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