液晶与显示, 2016, 31 (4): 370, 网络出版: 2016-04-13
ITO像素电极工序对于HADS 产品TFT特性的影响
Effects of pixel ITO process on TFT characteristics of HADS product
基本信息
| DOI: | 10.3788/yjyxs20163104.0370 |
| 中图分类号: | TN873+.93 |
| 栏目: | 材料与器件 |
| 项目基金: | -- |
| 收稿日期: | 2016-01-11 |
| 修改稿日期: | 2016-01-17 |
| 网络出版日期: | 2016-04-13 |
| 通讯作者: | 林致远 (linzhiyuan@boe.com.cn) |
| 备注: | -- |
林致远, 杨成绍, 邹志翔, 操彬彬, 黄寅虎, 文锺源, 王章涛. ITO像素电极工序对于HADS 产品TFT特性的影响[J]. 液晶与显示, 2016, 31(4): 370. LIN Zhi-yuan, YANG Cheng-shao, ZOU Zhi-xiang, CAO Bin-bin, Huang Yin-hu, WEN Zhong-yuan, WANG Zhang-tao. Effects of pixel ITO process on TFT characteristics of HADS product[J]. Chinese Journal of Liquid Crystals and Displays, 2016, 31(4): 370.
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