Photonics Research, 2020, 8 (3): 03000352, Published Online: Feb. 21, 2020  

Broadband supercontinuum generation in nitrogen-rich silicon nitride waveguides using a 300 mm industrial platform Download: 774次

Author Affiliations
1 Centre for Nanoscience and Nanotechnology (C2N), CNRS, Université Paris-Sud, Université Paris-Saclay, UMR 9001, 91405 Orsay Cedex, France
2 Technologie R&D, STMicroelectronics, SAS, 850 rue Jean Monnet, 38920 Crolles, France
3 III-V lab, a joint venture from Nokia Bell Labs, Thales and CEA, 1 Avenue Augustin Fresnel, 91767 Palaiseau Cedex, France
Basic Information
DOI: 10.1364/PRJ.379555
中图分类号: --
栏目: Silicon Photonics
项目基金: European Research Council10.13039/501100000781、 Agence Nationale de la Recherche10.13039/501100001665、 Astre Essonne
收稿日期: Oct. 2, 2019
修改稿日期: Dec. 30, 2019
网络出版日期: Feb. 21, 2020
通讯作者: Christian Lafforgue (christian.lafforgue@c2n.upsaclay.fr)
备注: --

Christian Lafforgue, Sylvain Guerber, Joan Manel Ramirez, Guillaume Marcaud, Carlos Alonso-Ramos, Xavier Le Roux, Delphine Marris-Morini, Eric Cassan, Charles Baudot, Frédéric Boeuf, Sébastien Cremer, Stéphane Monfray, Laurent Vivien. Broadband supercontinuum generation in nitrogen-rich silicon nitride waveguides using a 300 mm industrial platform[J]. Photonics Research, 2020, 8(3): 03000352.

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