光学学报, 1990, 10 (8): 699, 网络出版: 2007-11-12  

Sm和U原子光电离截面的模型势计算

Model potential calculations of photoionization cross sections for Sm and U
作者单位
1 中国科学院长春应用化学研究所
2 吉林大学原子与分子物理研究所
摘要
本文给出了使用四种不同形式的势对Sm基态光学电子所属壳层光电离截面计算的结果,同时给出了U原子三个激发态参量形式的极化修正模型势光电离截面的计算结果.我们的结果与其他作者使用相同形式的势计算的结果较好地符合.使用参数形式的极化模型势计算光电离截面是一种有效的方法.
Abstract
This paper presents the calculated results of photoioni/ation cross sections of the outer-most subshell for ground-stafce Sm using four kinds of potential and for three excited states U with the parameterized model potential of included polarization correction. These results are comparable to the ones calculated by other authors. It is shown that the parameterized model potential method of included polarization correction is effective to calculate photoionization cross sections.
参考文献

史桂珍, 周大凡, 罗军, 潘守甫. Sm和U原子光电离截面的模型势计算[J]. 光学学报, 1990, 10(8): 699. 史桂珍, 周大凡, 罗军, 潘守甫. Model potential calculations of photoionization cross sections for Sm and U[J]. Acta Optica Sinica, 1990, 10(8): 699.

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