激光与光电子学进展, 2021, 58 (1): 0112001, 网络出版: 2021-01-28  

高反镜表面疵病尺寸对激光散射场分布的影响 下载: 582次

Influence of Surface Defect Size of High-Reflection Mirror on Laser Scattering Field Distribution
作者单位
西安工业大学光电工程学院陕西省薄膜技术与光学检测重点实验室,陕西 西安 710021
图 & 表

图 1. 高反膜的反射率分布与疵病模型。(a)反射率分布;(b)疵病模型

Fig. 1. Reflectance distribution and defect model of high-reflection film. (a) Reflectance distribution; (b) defect model

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图 2. 不同场的分布情况。(a)入射场;(b)无疵病时的总场;(c)有疵病时的总场;(d)散射场

Fig. 2. Distributions of different fields. (a) Incident field; (b) total field without defect; (c) total field with defect; (d) scattering field

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图 3. 9组疵病的空间散射场分布图。(a)~(i)第1组~第9组

Fig. 3. Spatial scattering field distributions of 9 groups of defects. (a)?(i) Group 1?group 9

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图 4. 积分散射光强随疵病尺寸的变化。(a)散射光强随宽度的变化;(b)散射光强随深度的变化

Fig. 4. Variation of integral scattering light with the defect. (a) Variation of scattering light intensity with width; (b) variation of scattering light intensity with depth

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图 5. 积分散射测量系统的原理

Fig. 5. Principle of the integrated scattering measurement system

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图 6. 测试系统。(a)积分散射测量系统;(b)积分球

Fig. 6. Test system. (a) Integral scattering measurement system; (b) integrating sphere

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图 7. 电压的测试结果。(a)入射光衰减后的基准电压;(b)标准样品散射光的电压

Fig. 7. Test results of voltage. (a) Reference voltage after attenuation of incident light; (b) voltage of scattering light from standard sample

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图 8. 样品散射率的变化。(a)散射率随宽度的变化;(b)散射率随深度的变化

Fig. 8. Variation of the sample scattering rate. (a) Variation of scattering rate with width; (b) variation of scattering rate with depth

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表 19组疵病样品的尺寸

Table1. Dimensions of 9 groups of defect samples unti: μm

No.123456789
w202530202530202530
d202020252525303030

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表 29组不同尺寸疵病散射的测量电压

Table2. Measured voltages of 9 groups of different sizes of defects scattering unit: V

w/μm202530
d/μm204.9605.5246.034
255.0965.6566.295
305.3025.7746.413

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江坤, 高爱华, 闫丽荣. 高反镜表面疵病尺寸对激光散射场分布的影响[J]. 激光与光电子学进展, 2021, 58(1): 0112001. Jiang Kun, Gao Aihua, Yan Lirong. Influence of Surface Defect Size of High-Reflection Mirror on Laser Scattering Field Distribution[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2021, 58(1): 0112001.

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