激光与光电子学进展, 2018, 55 (4): 040201, 网络出版: 2018-09-11 复制并引用该论文  本文已被引 2 次  被引通知

图 & 表

图 1. ICP刻蚀系统示意图

Fig. 1. Diagram of ICP etching system

下载图片 查看原文

图 1. 所示为整个系统结构示意图。通常ICP刻蚀系统存在两个独立的射频源(rf1与rf2),频率均为13.56 MHz,一个与反应腔室外的电感线圈相连,另一个与反应室内的电极相连。给rf1施加电压,气体放电产生等离子体,同时交变电磁场使得等离子体聚焦。在反应室内的偏压作用下,等离子体被加速垂直射向基片,反应生成气体物质,从而达到刻蚀硅的目的,反应生成物通过机械泵抽离腔室。

Fig. 1.

下载图片 查看原文

图 2. 深硅刻蚀机。(a)实物图;(b)内部原理

Fig. 2. Deep silicon etching machine. (a) Picture; (b) schematic of inside

下载图片 查看原文

图 3. 待刻蚀结构

Fig. 3. Structures to be etched

下载图片 查看原文

图 4. 刻蚀工艺流程

Fig. 4. Flow chart of etching process

下载图片 查看原文

图 5. 刻蚀循环数与刻蚀深度间的关系

Fig. 5. Relationship between etching loop number and etching depth

下载图片 查看原文

图 6. 硅孔结构三维示意图

Fig. 6. 3D schematic of silicon pore structure

下载图片 查看原文

图 7. 刻蚀结果示意图

Fig. 7. Schematic of etching results

下载图片 查看原文

图 8. 键合后的碱金属气室实物图

Fig. 8. Picture of bonded alkali-metal vapor cell

下载图片 查看原文

图 9. 饱和吸收实验原理装置图

Fig. 9. Schematic of experimental principle for saturated absorption

下载图片 查看原文

图 10. 不同温度下的气室饱和吸收。(a) 50 ℃;(b) 60 ℃;(c) 70 ℃;(d) 80 ℃

Fig. 10. Saturated absorption of micro alkali-metal vapor cell under different temperatures. (a) 50 ℃; (b) 60 ℃; (c) 70 ℃; (d) 80 ℃

下载图片 查看原文

图 11. (a) 87Rb原子D2线跃迁原理图;(b) 80 ℃时MEMS气室饱和吸收曲线

Fig. 11. (a) Schematic of D2 line transition in 87Rb atom; (b) saturated absorption curve of MEMS vapor cell at 80 ℃

下载图片 查看原文

表 1深硅刻蚀主要参数

Table1. Main parameters of deep silicon etching

Process Durationtime /s Power 1 /W Power 2 /W Number ofloops Flow rate of SF6 /(mL·min-1) Flow rate of C4F8 /(mL·min-1) Deactivation 1 2500 16 0 1 300 Etching ofdeactivation layers 1.5 2500 224 0 400 1 Main etching 5 3500 52 300 996 1

查看原文

汤跃, 任子明, 李云超, 胡旭文, 张彦军, 闫树斌. 应用于芯片原子钟的微碱金属气室制备与研究[J]. 激光与光电子学进展, 2018, 55(4): 040201. Yue Tang, Ziming Ren, Yunchao Li, Xuwen Hu, Yanjun Zhang, Shubin Yan. Fabrication and Study of Micro Alkali-Metal Vapor Cell Applied to Chip Scale Atomic Clock[J]. Laser & Optoelectronics Progress, 2018, 55(4): 040201.