光学学报, 1993, 13 (12): 1073, 网络出版: 2007-12-07  

SBN晶体中Eu3+激发态5D0的无辐射跃迁

Radiationless transition of Eu3+excited state 5D0in SBN crystal
作者单位
1 南开大学现代光学研究所, 天津 300071
2 山东大学晶体材料研究所, 济南 250100
摘要
通过测量5D0→7F2发射带的荧光寿命与晶体温度的依赖关系,研究了Eu3+激发态5D0的无辐射跃迁.结果表明,5D0→7F2带的温度淬灭效应主要是由于电荷转移态的最低能量太低,5D0态易被热激活至电荷转移,然后通过电荷转移无辐射弛豫至7F2态.
Abstract
In this paper, the radiationless transition of the excited state 5D0 of Eu3+ in SBN crystal has been studied by observing the temperature dependence of the fluorescence lifetime of 5A0→7F2 emission band. The temperature quenching effect of 5D0→7F2 band is mainly due to that the minmum energy of the charge-tranfer state (CTS) of Eu3+ is so low that 5D0 state can be activated thermally to CTS and then transfers to 7F state via CTS with radiationless transition.
参考文献

张桂兰, 陈文驹, 孙大亮, 宋永远, 陈焕矗. SBN晶体中Eu3+激发态5D0的无辐射跃迁[J]. 光学学报, 1993, 13(12): 1073. 张桂兰, 陈文驹, 孙大亮, 宋永远, 陈焕矗. Radiationless transition of Eu3+excited state 5D0in SBN crystal[J]. Acta Optica Sinica, 1993, 13(12): 1073.

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