半导体光子学与技术, 2004, 10 (1): 35, 网络出版: 2011-08-15  

850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics

850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics
作者单位
Nation. Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Sci. and Technol., Changchun 130022, CHN
基本信息
DOI: --
中图分类号: TN365
栏目:
项目基金: --
收稿日期: 2003-08-15
修改稿日期: --
网络出版日期: 2011-08-15
通讯作者:
备注: --

LI Lin, ZHONG Jing-chang, LIU Wen-li, ZHAO Ying-jie, ZHANG Yong-ming, SU Wei. 850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics[J]. 半导体光子学与技术, 2004, 10(1): 35. LI Lin, ZHONG Jing-chang, LIU Wen-li, ZHAO Ying-jie, ZHANG Yong-ming, SU Wei. 850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics[J]. Semiconductor Photonics and Technology, 2004, 10(1): 35.

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