半导体光子学与技术, 2004, 10 (1): 35, 网络出版: 2011-08-15  

850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics

850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics
作者单位
Nation. Key Lab. of High Power Semiconductor Lasers, Changchun University of Sci. and Technol., Changchun 130022, CHN
图 & 表

LI Lin, ZHONG Jing-chang, LIU Wen-li, ZHAO Ying-jie, ZHANG Yong-ming, SU Wei. 850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics[J]. 半导体光子学与技术, 2004, 10(1): 35. LI Lin, ZHONG Jing-chang, LIU Wen-li, ZHAO Ying-jie, ZHANG Yong-ming, SU Wei. 850nm Implant-confined VCSEL Temperature Characteristics[J]. Semiconductor Photonics and Technology, 2004, 10(1): 35.

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