半导体光电, 2012, 33 (5): 672, 网络出版: 2012-11-01
氟基等离子体处理对高Al组分AlGaN肖特基接触反向漏电的改善
Improvement on Leakage Current for High Al-content AlGaN Schottky Diode by Fluoride-based Plasma Treatment
高Al 组分AlGaN 肖特基接触 氟基等离子体 漏电流 表面态 high-Al content AlGaN Schottky contact fluoride-based plasma treatment leakage current surface state
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