MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究 | 发光学报 -- 中国光学期刊网

发光学报, 2013, 34 (9): 1149, 网络出版: 2013-09-17

MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究

Study of MgZnO Semiconductor Materials Using Photoluminescence and Resonance Raman Spectroscopy

王玉超 ^1,*吴天准 ¹张权林 ¹陈明明 ¹苏龙兴 ¹汤子康 ^1,2

作者单位

¹ 中山大学理工学院光电材料国家重点实验室, 广东广州510000

² 香港科技大学物理系, 香港

分子束外延 X射线衍射光致发光共振拉曼光谱 MgxZn1-xO MgxZn1-xO P-MBE X-ray diffraction photoluminescence resonance Raman spectroscopy

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王玉超, 吴天准, 张权林, 陈明明, 苏龙兴, 汤子康. MgZnO半导体材料光致发光以及共振拉曼光谱研究[J]. 发光学报, 2013, 34(9): 1149. WANG Yu-chao, WU Tian-zhun, ZHANG Quan-lin, CHEN Ming-ming, SU Long-xing, TANG Zi-kang. Study of MgZnO Semiconductor Materials Using Photoluminescence and Resonance Raman Spectroscopy[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2013, 34(9): 1149.

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