Photonics Research, 2020, 8 (3): 03000279, Published Online: Feb. 12, 2020   

High-power hybrid GaN-based green laser diodes with ITO cladding layer Download: 684次

Author Affiliations
1 Key Laboratory of Nanodevices and Applications, Suzhou Institute of Nano-Tech and Nano-Bionics, Chinese Academy of Sciences (CAS), Suzhou 215123, China
2 School of Nano-Tech and Nano-Bionics, University of Science and Technology of China, Hefei 230026, China
Basic Information
DOI: 10.1364/PRJ.381262
中图分类号: --
栏目: Lasers and Laser Optics
项目基金: National Key Research and Development Program of China10.13039/501100012166(2016YFB0401803)、 National Natural Science Foundation of China10.13039/501100001809( 2017YFE0131500)、 Natural Science Foundation of Jiangsu Province10.13039/501100004608( 2017YFB0405000)、 China Postdoctoral Science Foundation10.13039/501100002858( 61834008)、 61574160、 61804164、 61704184、 BK20180254、 2018M630619
收稿日期: Oct. 23, 2019
修改稿日期: Dec. 18, 2019
网络出版日期: Feb. 12, 2020
通讯作者: Jianping Liu (jpliu2010@sinano.ac.cn)
备注: --

Lei Hu, Xiaoyu Ren, Jianping Liu, Aiqin Tian, Lingrong Jiang, Siyi Huang, Wei Zhou, Liqun Zhang, Hui Yang. High-power hybrid GaN-based green laser diodes with ITO cladding layer[J]. Photonics Research, 2020, 8(3): 03000279.

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