激光技术, 2010, 34 (6): 766, 网络出版: 2010-11-04
多孔硅的孔隙对硫化锌/多孔硅光电性质的影响
Influence of porous silicon porosity on optoelectronic property of ZnS/porous silicon
基本信息
| DOI: | -- |
| 中图分类号: | O734 |
| 栏目: | |
| 项目基金: | 滨州学院“青年人才创新工程”科研基金资助项目(BZXYQNLG200703)、滨州学院科研基金资助项目(BZXYG1001) |
| 收稿日期: | 2010-01-27 |
| 修改稿日期: | 2010-02-26 |
| 网络出版日期: | 2010-11-04 |
| 通讯作者: | 王彩凤 (cfwang_2004@163.com) |
| 备注: | -- |
王彩凤, 李清山, 胡波, 梁德春. 多孔硅的孔隙对硫化锌/多孔硅光电性质的影响[J]. 激光技术, 2010, 34(6): 766. WANG Cai-feng, LI Qing-shan, HU Bo, LIANG De-chun. Influence of porous silicon porosity on optoelectronic property of ZnS/porous silicon[J]. Laser Technology, 2010, 34(6): 766.
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