以电化学阳极氧化法制备的多孔硅（PS）为衬底，用脉冲激光沉积方法分别在200和300℃下制备了ZnS薄膜，得到ZnS/PS复合体系。利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）、荧光分光光度计分别对ZnS/PS复合体系的晶体结构、形貌和光致发光（PL）特性进行了研究。XRD结果表明，制备的ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿β-ZnS（111）晶向择优取向生长，生长温度较高的样品的XRD衍射峰强度较大。SEM图像显示，生长温度较高的ZnS薄膜表面较致密平整。室温下的PL谱表明，沉积ZnS薄膜后，PS的发光峰发生蓝移。较高的生长温度下，ZnS的自激活发光强度较大，而PS的红光强度较低且峰位红移。根据三基色叠加的原理，ZnS的蓝绿光与PS的红光叠加在一起，ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射，为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。

在电化学阳极氧化法制备的多孔硅( poroussilicon，PS)衬底上用脉冲激光沉积法( pulsedlaserdeposition，PLD)在 250℃和 350℃下生长 ZnS薄膜。 XRD图样显示，制备的 ZnS薄膜沿 β-ZnS(111)方向择优生长，较高的生长温度下，衍射峰强度较大。 SEM结果表明， 250℃生长的 ZnS薄膜表面疏松、不平整，这是由于衬底 PS的粗糙结构所致，而 350℃生长温度下，尽管薄膜表面出现了一些明显尺寸的晶粒，但总体变得平整致密。室温下的光致发光( PL)谱表明， 350℃样品中 ZnS的自激活发光强度高于 250℃样品，而 PS的红光强度低于250℃样品且峰位红移。把 ZnS的蓝绿光与 PS的红光叠加，在可见光区450~700nm形成了一个较宽的光致发光谱带， ZnS/PS复合体系呈现较强的白光发射。

为了研究衬底多孔硅(PS)的孔隙对硫化锌/多孔硅(ZnS/PS)复合体系的光学性能和电学性质的影响, 采用脉冲激光沉积方法在不同孔隙度的PS衬底上沉积了硫化锌薄膜。利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜、荧光分光光度计和I-V特性曲线分别研究了PS衬底上ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌和ZnS/PS复合体系的光学和电学性质。结果表明,沉积的ZnS薄膜呈立方相晶体结构, 沿β-ZnS(111)晶向择优取向生长。随着衬底PS孔隙的增多, ZnS薄膜衍射峰的强度减小, 且薄膜表面出现一些空洞和裂缝; 在ZnS/PS复合体系的光致发光谱中, PS的发光相对于未沉积ZnS薄膜的PS有所蓝移, 随着PS孔隙的增多, 该蓝移量增大, 而且在光谱中间550nm左右出现了一个新的绿光发射, 归因于ZnS的缺陷中心发光。ZnS的蓝、绿光与PS的红光相叠加, 整个ZnS/PS复合体系呈现出较强的白光发射。ZnS/PS异质结的I-V特性曲线呈现出与普通二极管相似的整流特性, 在正向偏置下, 电流密度较大, 电压降较低; 在反向偏置下, 电流密度接近于0。随着衬底PS孔隙的增多, 正向电流增大。该项研究结果为固态白光发射器件的实现奠定了基础。

用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计 分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明，ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿[EQUATION]-ZnS(111)晶向择优取向生长；经过300℃真 空退火30min后，ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大，表面变得粗糙，在可见光区的平均透射率达到80%以上，适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红 外窗口和头罩等。在退火后的ZnS/PS复合膜体系的光致发光谱(PL)中，除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端PS的红光发射外，在光谱中间550nm附近 出现了一个新的绿光发射，这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与PS的红光叠 加在一起后，ZnS/PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射，这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。

用脉冲激光沉积(PLD)的方法在多孔硅衬底上沉积了ZnS薄膜,并在室温下研究了ZnS/PS异质结的结构、光学和电学性质。X射线衍射仪(XRD)测量结果表明,制备的ZnS薄膜在28.5°附近有一较强的衍射峰,对应于β-ZnS(111)晶向,说明薄膜沿该方向高度择优取向生长。ZnS/PS复合体系的光致发光谱表明,ZnS的发光与PS的发光叠加在一起,在可见光区形成一个450~700 nm较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射。对ZnS/PS异质结I-V特性曲线的测量结果表明,异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性。在正向偏置下,电流密度较大,电压降较低;在反向偏置下,电流密度接近于零。异质结的理想因子的值为77。

用脉冲激光沉积法在相同孔隙率的多孔硅(Porous Silicon,PS)衬底上生长了ZnS薄膜和ZnO薄膜,在室温下对ZnS/PS和ZnO/PS的光学和电学性质进行了比较。结果发现,ZnS/PS和ZnO/PS在可见光区450～700 nm都有一个较宽的光致发光谱带,呈现较强的白光发射,但ZnS/PS体系的白光发射性能要优于ZnO/PS体系的发光性能。从二者的I-V特性曲线来看,ZnS/PS异质结呈现出与普通二极管相似的整流特性,而ZnO/PS异质结的整流特性与普通二极管不同,其反向电流不饱和。

为了研究硫化锌／多孔硅复合体系的光致发光特性，通过电化学阳极氧化法制备了多孔硅样品，然后用脉冲激光沉积的方法在其上沉积硫化锌薄膜，测量了硫化锌／多孔硅复合体系的光致发光谱，并对其进行了详细的理论分析和实验验证。结果表明，在不同的激发波长(340nm，360nm，390nm)下，硫化锌／多孔硅复合体系的光致发光谱不同，硫化锌和多孔硅发光的相对(蓝／红)积分强度比值也不同；硫化锌薄膜的生长温度不同(100℃，250℃，350℃)时，硫化锌／多孔硅复合体系的发光不同，随着生长温度的升高，复合体系的发光谱中，硫化锌的发光增强而多孔硅的发光减弱；衬底多孔硅的制备电流密度不同(3mA／cm²，9mA／cm²，11mA／cm²)时，硫化锌／多孔硅复合体系的发光也有着不同的特点。在适当的多孔硅制备电流密度条件下，把硫化锌的发光与多孔硅的发光叠加，得到了可见光区较宽的光致发光谱带(450nm～700nm)，呈现较强的白光发射，这一结果为白光二极管的实现开辟了一条新的捷径。

ZnS films were deposited by pulsed laser deposition (PLD) on porous silicon (PS) substrates formed by electrochemical anodization of p-type (100) silicon wafer. The photoluminescence (PL) spectra of ZnS/PS composites were measured at room temperature. Under different excitation wavelengths, the relative integrated intensities of the red light emission from PS layers and the blue-green emission from ZnS films had different values. After samples were annealed in vacuum at different temperatures (200, 300, and 400 Celsius degree) for 30 min respectively, a new green emission located at around 550 nm appeared in the PL spectra of all ZnS/PS samples, and all of the ZnS/PS composites had a broad PL band (450-700 nm) in the visible region, exhibiting intensively white light emission.