针对电子束蒸发离子辅助沉积的硫化锌薄膜，研究了550 ℃以下真空热处理对其光学与微结构特性的影响。薄膜光学和微结构特性的测试分析表明: 制备后薄膜为类立方结构的ZnS，在337.5 nm波长处出现临界特性转折点，随着热处理温度的增加，转折波长两侧的消光系数变化规律相反，折射率和物理厚度呈现下降趋势，薄膜的禁带宽度逐渐增加; 在红外波段的薄膜折射率与热处理温度的变化并不显著，在350 ℃下热处理时消光系数出现转折，主要是由晶粒变小的趋势所致; 通过晶相分析，硫化锌薄膜经历了类立方结构到六方结构的转换，与禁带宽度的变化趋势基本一致。分析结果表明，光学特性变化的根本原因是薄膜的微结构特性变化。

采用倾斜式生长的方法, 在本底真空为3×10－4 Pa, 生长率为0.2 nm?s-1的条件下, 通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α, 在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。 在α=80°和85°时, 样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成, 扫描电子显微镜(SEM)图像显示, 所形成的薄膜均呈现出了柱状结构, 并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果； 在α=0°时, 相应测量结果表明, 虽然在不同衬底上也形成了纳米ZnS晶体薄膜, 但并未见柱状结构, 而是形成了一层均匀且致密的薄膜。 对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析。 ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率, 因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率。

用脉冲激光沉积(PLD)方法在多孔硅(PS)衬底上沉积了ZnS薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、荧光分光光度计 分别研究了ZnS薄膜的晶体结构、表面形貌及光学性能。结果表明，ZnS薄膜呈立方相晶体结构，沿[EQUATION]-ZnS(111)晶向择优取向生长；经过300℃真 空退火30min后，ZnS薄膜的XRD衍射峰强度增大，表面变得粗糙，在可见光区的平均透射率达到80%以上，适合作太阳能电池过渡层、红外增透膜、红 外窗口和头罩等。在退火后的ZnS/PS复合膜体系的光致发光谱(PL)中，除了高能端ZnS的蓝光发射和低能端PS的红光发射外，在光谱中间550nm附近 出现了一个新的绿光发射，这归因于ZnS薄膜退火过程中形成的缺陷能级而产生的缺陷中心发光。根据三基色叠加的原理将ZnS的蓝、绿光与PS的红光叠 加在一起后，ZnS/PS复合膜体系呈现出了较强的白光发射，这为固态白光发射器件的实现开辟了一条新的捷径。