利用混蒸的方法、 将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合, 在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。 在相同驱动电压下, 采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高, 在电压为10 V时, 常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA·cm-2和1.03 μW, 而采用混合界面的器件可以分别达到18.1 mA·cm-2和3.64 μW。 通过分析认为, 引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入, 也增大了到达发光层的电子数目, 从而增大了发光几率, 引起了电流密度和发光功率的共同增长。

采用倾斜式生长的方法, 在本底真空为3×10－4 Pa, 生长率为0.2 nm?s-1的条件下, 通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α, 在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。 在α=80°和85°时, 样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成, 扫描电子显微镜(SEM)图像显示, 所形成的薄膜均呈现出了柱状结构, 并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果； 在α=0°时, 相应测量结果表明, 虽然在不同衬底上也形成了纳米ZnS晶体薄膜, 但并未见柱状结构, 而是形成了一层均匀且致密的薄膜。 对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析。 ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率, 因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率。

提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5～2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。