对激光散斑测定位移实验中的相关参数进行了分析, 针对不同散斑特征尺寸对应的二次曝光散斑图的逐点再现过程进行了详细的计算机模拟。模拟结果显示, 同一散斑图错开散斑平均尺寸的1~6倍距离叠加, 在满足菲涅耳近似条件的衍射距离下用细激光束逐点再现, 可得到理想的干涉条纹。

在10 Pa的Ar环境气体中，采用脉冲激光烧蚀技术，分别在半径为2.0，2.5，3.0，3.5和4.0 cm的半圆环不同角度处的衬底上制备了一系列含有纳米晶粒的Si晶薄膜。使用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和拉曼光谱仪对其表面形貌和微观结构进行分析表征。结果表明，纳米Si晶粒的平均尺寸和烧蚀粒子的阻尼系数均相对于羽辉轴向呈对称分布，并随着与羽辉轴向夹角的增大而减小；同时，随着衬底半径的增加，晶粒平均尺寸和阻尼系数均逐渐减小。

以激光散斑衬比分析为基础的激光散斑成像技术, 是一种无需扫描的全场光学成像方法, 在监测生理及病理状态下组织血流动态变化中的应用日益广泛。在实际应用中, 像面散斑平均尺寸等多种因素影响散斑衬比值, 使得该技术在反映血流变化的准确性方面受到影响。采用一种成像散斑计算机模拟方法研究了像面散斑平均尺寸对成像散斑统计特性的影响, 分析了成像参数与像面散斑尺寸的定量关系, 并通过物理模型实验对模拟结果进行了验证。研究结果确认了合理的像面散斑平均尺寸计算公式, 证实了散斑衬比值随像面散斑平均尺寸增大而减小的现象, 并为确定合理的成像参数提供了依据。

提出了一种将激光烧蚀制备的纳米Si晶粒按尺寸大小进行分离的新方法。在10 Pa高纯环境气体Ar下,采用波长为308 nm的XeCl准分子激光器,固定激光单脉冲能量密度为3 J/cm2,激光烧蚀电阻率为3000 Ω·cm的高纯单晶Si靶,在等离子羽轴线正下方2.0 cm处平行放置一系列单晶Si或玻璃衬底来收集纳米Si晶粒。拉曼(Raman)谱测量结果显示,在距靶平行距离为0.5～2.8 cm范围内,所制备的薄膜中均有纳米Si晶粒形成。利用扫描电子显微镜(SEM)观察了样品的表面形貌,对图中的纳米Si晶粒统计分析表明,随着离靶平行距离的增大,所形成的纳米Si晶粒的平均尺寸逐渐减小。从烧蚀动力学角度对实验结果进行了定性解释,因为不同尺寸的纳米Si晶粒获得了不同的水平速度,所以在重力作用下实现了尺寸的自然分离。