利用Suzuki偶联反应合成了一种新型聚芴类导电聚合物发光材料：聚9,9二十二烷基芴并3,3′二对偏二氰乙烯基苯基2,7联噻吩(PFC12Th-DCN)，表征了该材料的紫外可见吸收光谱、光致发光光谱以及激发光谱。此材料在300~450 nm有很强的吸收，吸收峰位于375 nm。用375 nm的光激发PFC12Th-DCN，其光致发光峰位于625 nm，是一种橙黄色发光材料。制备了结构为ITO/PEDOTPSS/ PFC12Th-DCN/Al的有机电致发光器件。该器件启亮电压为5 V，发光峰为649 nm，色坐标为(0.62, 0.36)。与光致发光光谱相比，该材料的电致发光光谱出现了约25 nm的红移，根据退火实验推断该红移是由PFC12Th-DCN分子聚集态发光引起的。

合成了绿色发光稀土有机配合物1,10邻菲啰啉三乙酰丙酮合铽(Ⅲ) [Tb(aca)3phen]，通过紫外可见吸收光谱测试材料的吸收特性，其吸收范围主要集中在250~355 nm之间，在296 nm和345 nm处有两个较强的吸收峰。利用345 nm的紫外光激发得到了材料的光致发光光谱，观察到明显的绿色发光, 发光峰位于487，545，585，621 nm，分别对应5D4→7F6，5D4→7F5 ，5D4→7F4，5D4→7F3能级间的电子跃迁。制备了结构为ITO/PEDOTPSS/Tb(aca)3phenPVK/Bphen(x nm)/Al有机电致发光器件。研究了不同厚度的Bphen修饰层对器件性能的影响，当Bphen厚度为5 nm时器件发光特性最优，说明5 nm Bphen层可有效地阻挡空穴，提高了载流子的复合几率。当器件外加驱动电压为20 V时，发光强度是没有Bphen修饰层的器件的2.4倍。

以水溶性酞菁铜(CuTcPc)为空穴注入层制备多层有机电致发光器件。ITO表面经过CuTcPc溶液修饰，能够提高空穴的注入能力，增加器件的电流密度和亮度。在有机电致发光器件中，空穴传输材料的空穴迁移率一般大于电子传输材料的电子迁移率，空穴是多数载流子；但是，CuTcPc修饰处理不仅提高了器件的电流密度和亮度，也提高了器件的电流效率。研究结果表明， CuTcPc层不仅提高了器件的空穴注入能力，也影响了电场的分布，能在一定程度上增加电子的注入。

利用混蒸的方法、 将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合, 在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。 在相同驱动电压下, 采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高, 在电压为10 V时, 常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA·cm-2和1.03 μW, 而采用混合界面的器件可以分别达到18.1 mA·cm-2和3.64 μW。 通过分析认为, 引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入, 也增大了到达发光层的电子数目, 从而增大了发光几率, 引起了电流密度和发光功率的共同增长。

对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。 并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。 实验结果发现， 磷光材料掺杂浓度不同， 器件发光特性不同。 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时， EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时， 会发生浓度猝灭； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较适中时， EL光谱中观察不到PVK的发光， 只有Ir(Fppy)3的发光。 通过I-V-L特性的比较， 当掺杂浓度为4%时， 器件的光电特性最好。

将一种新型稀土铕配合物Eu(UVA)3Phen作为掺杂剂与基质PVK按不同质量比进行掺杂, 对混合薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。 实验结果表明, 共掺杂体系中存在从PVK到Eu(UVA)3Phen的Frster能量传递。 通过优化主客体材料的配比浓度, 当掺杂浓度为4%时, 得到了色纯度较好地红光器件。

制备了以结构 ITO/PCBM∶PVK(x Wt%, ～40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq3(30 nm)/Al为基础的一系列有机发光二极管， 利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。 通过氟化锂的阴极修饰， 改变了器件的载流子注入情况； 通过PCBM的浓度变化， 改变了载流子的输运情况， 讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。 同时通过改变对器件所加的电压， 讨论了电压对载流子复合区形成的影响， 并分析了其影响的本质。

以DPVBi为发光层, NPB为空穴传输层, 在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT∶PSS, 制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs)： ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT∶PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al, 研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响, 并与没有空穴注入层的器件进行了比较。 其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种工艺, 比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响。 结果表明： 加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好, 其中插入水溶性CuPc的器件, 其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低, 但比插入PEDOT∶PSS器件发光性能要好。 又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜, 与传统CuPc相比, 制备工艺简单, 所以为一种不错的空穴注入材料。

制备了MEH-PPV(poly［2-methoxy-5-(2′-ethylhexyloxy)-1,4-phenylenevinylene］)和PCBM (1-(3-mehyloxycarbonyl)propy1-phenyl［6,6］C61)共混体系的聚合物太阳能电池。 通过改变MEH-PPV∶PCBM(质量比为1∶4)混合溶液的浓度及旋涂时的转速来改变活性层的厚度, 研究了器件性能随活性层厚度的变化。 当旋涂速率小于4 000 r·min-1时随着厚度的减小, 开路电压没有明显的变化, 基本在0.8 V左右, 但短路电流呈现单调上升的趋势, 填充因子略有下降。 当旋涂速率大于5 000 r·min-1时, 开路电压和短路电流都开始下降。 其中, 开路电压从5 000 r·min-1时的0.78 V下降到8 000 r·min-1时的0.67 V, 短路电流更是从5 000 r·min-1时的3.96 mA·cm-2下降到8 000 r·min-1 时的1.76 mA·cm-2。 短路电流受光吸收和载流子传输两方面的共同影响, 而活性层厚度的变化使得这两方面的影响产生相悖的效果。 活性层越厚, 光生激子数越多, 但同时内建电场变弱, 而且激子解离后得到的载流子传输到相应电极的距离越长, 载流子被电极收集的概率减小。 开路电压的降低则源于激子在MEH-PPV和PCBM与相应电极界面处解离比重的增加。

采用倾斜式生长的方法, 在本底真空为3×10－4 Pa, 生长率为0.2 nm?s-1的条件下, 通过改变衬底的法线方向与入射粒子流的夹角α, 在ITO导电玻璃衬底上制备了ZnS纳米薄膜。 在α=80°和85°时, 样品的Ｘ射线衍射谱证实了不同倾斜角时所制备薄膜中均有纳米ZnS晶体形成, 扫描电子显微镜(SEM)图像显示, 所形成的薄膜均呈现出了柱状结构, 并且倾斜角为85°时所得到的纳米柱直径大于80°时所得结果； 在α=0°时, 相应测量结果表明, 虽然在不同衬底上也形成了纳米ZnS晶体薄膜, 但并未见柱状结构, 而是形成了一层均匀且致密的薄膜。 对两种薄膜结构的生长动力学过程作了分析。 ITO衬底上薄膜的透射光谱表明ZnS柱状薄膜能够提高可见光的透过率, 因此对柱状ZnS纳米薄膜的研究将有利于提高电致发光器件的发光效率。