1 五邑大学 应用物理与材料学院, 广东 江门 529020
2 南方科技大学 电子与电气工程系, 广东 深圳 518055
在ITO玻璃上制备了ITO/poly(3, 4-ethylene dioxythiophene)∶poly(styrene sulphonate) (PEDOT∶PASS)/poly(N,N-bis(4-butylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidine(poly-TPD)/QD/1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo［d］imidazol-2-yl)phenyl(TPBi)/LiF/Al 结构的量子点发光二极管(QD-LED)。通过优化量子点的浓度, 发现浓度为30 mg/mL时的器件性能最优, 最大外量子效率(EQE)为0.83%, 最大发光亮度为4 076 cd/m2。为了进一步提高QD-LED的发光效率, 将QD掺入聚合物poly(N-vinylcarbazole) (PVK)和1,3-Bis(5-(4-(tert-butyl)phenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)benzene (OXD-7)中, 以使得注入的电子和空穴更加平衡, 同时还有助于能量传递, 降低QD团聚及修饰QD薄膜表面, 减少激子猝灭效应等。为此, 通过旋涂和蒸镀两步法制备ITO/PEDOT∶PASS/poly-TPD/(PVK∶OXD-7)∶QD/TPBi/LiF/Al 结构的器件, 改变(PVK∶OXD-7)∶QD比例(1∶1, 1∶3, 1∶5, 0∶1), 发现(PVK∶OXD-7)∶QD为1∶3时的QD-LED具有最优性能, 最大EQE为1.97%, 相当于非掺杂器件的2.3倍, 并且发光峰没有发生偏移。
量子点发光二极管 聚合物PVK 掺杂 quantum dot light emitting diodes polymer PVK doping
北京交通大学发光与光信息技术教育部重点实验室， 光电子技术研究所， 北京100044
对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。 并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。 实验结果发现， 磷光材料掺杂浓度不同， 器件发光特性不同。 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时， EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时， 会发生浓度猝灭； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较适中时， EL光谱中观察不到PVK的发光， 只有Ir(Fppy)3的发光。 通过I-V-L特性的比较， 当掺杂浓度为4%时， 器件的光电特性最好。
能量传递 蓝色磷光 PVK PVK Ir(Fppy)3 Ir(Fppy)3 Energy transfer Blue phosphorescence 光谱学与光谱分析
2011, 31(9): 2328
武汉理工大学光纤传感器技术国家工程实验室, 湖北 武汉 430070
研究了含化学混杂CdS-PVK纳米复合材料聚合物体系的光折变效应，其中以CdS纳米粒子为光敏剂，聚乙烯咔唑（PVK）为载流子输运剂，4-(4-硝基苯偶氮)苯胺染料(DO3)为非线性生色团，9-乙基咔唑(ECZ)为增塑剂。采用透射电子显微镜（TEM）对化学混杂CdS-PVK纳米复合材料的形貌和CdS尺寸进行表征。研究了CdS-PVK纳米复合材料的发光特性，实验结果表明，CdS纳米粒子与PVK之间存在电荷转移。采用循环伏安法研究了DO3的氧化还原电势，结果表明DO3与PVK之间能级匹配。双光束耦合实验证明了CdS-PVKDO3ECZ体系的光折变特性，在无外加电场下，获得的二波耦合增益系数为34.5 cm-1，衍射效率达到3.4%。
光学材料 光折变效应 化学混杂CdS-PVK纳米复合材料 双光束耦合 光学学报
2011, 31(s1): s100111
Author Affiliations
Abstract
Key Laboratory of Luminescence and Optical Information, Ministry of Education, Institute of Opto-Electronic Technology, Beijing Jiaotong University, Beijing 100044, China
We fabricate an ultraviolet photodetector based on a blend of poly (N-vinylcarbazole) (PVK) and 2-tert-butylphenyl-5-biphenyl-1,3, 4-oxadiazole (PBD) using spin coating. The device exhibites a low dark current density of 2.2 \times 10?3 \muA/cm2 at zero bias. The spectral response of the device shows a narrow bandpass characteristic from 300 to 355 nm, and the peak response is 18.6 mA/W located at 334 nm with a bias of –1 V. We also study the performances of photodetectors with different blend layer thicknesses. The largest photocurrent density is obtained with a blend of 90 nm at the same voltage.
有机光电探测器 紫外 带通 PVK 250.0040 Detectors 250.2080 Polymer active devices 310.1860 Deposition and fabrication 310.6845 Thin film devices and applications Chinese Optics Letters
2011, 9(5): 052501
1 复旦大学物理系, 上海 200433
2 复旦大学化学系, 上海 200433
用飞行时间质谱测量308 nm激光熔蚀C60化学修饰的聚乙烯咔唑(C60-PVK)与C60/聚乙烯咔唑共混物(C60/PVK)的产物分布，分析了正负离子质谱，发现明显的碳笼融合现象。比较分析了融合过程的增强机理，认为C60与PVK间的化学键合以及电荷转移络合分别在C60-PVK键合物和C60/PVK共混物的富勒烯融合过程中起了重要作用。
融合 电荷转移
吉林大学分子光谱与分子结构开放实验室集成光电子学国家联合重点实验室吉林大学实验区, 长春130023
TPB(1，1，4，4-四苯基丁二烯)分散到PVK(聚乙烯基咔唑)中的掺杂聚合物作有源层制作的蓝光发光二极管及其发光特性。聚合物发光层用旋转涂敷的方法制备，用透明导电材料ITO(铟锡氧化物)、金属Al作为正负电极。器件正向偏压为13 V时，可以看到蓝光发射，峰值波长为455 nm，注入电流为50 mA/cm2时，亮度为44 cm/m2。
聚合物 蓝光发光二极管
