在有机电致发光器件中插入金属超薄层常会带来一些意想不到的作用。 在无机材料MoO3与有机材料TPD之间插入5 nm金属层Au, 制备了结构为ITO/MoO3(5 nm)/Au(5 nm)/TPD/AlQ/LiF/Al的OLED器件。 相对于没有金属层Au的器件, 发光效率得到了提高。 通过分析认为Au在TPD和MoO3之间形成一个小的空穴陷阱, 在降低了器件中的电流密度的同时, 由于5nm的Au对AlQ绿光的光透过率大于80%, 发光亮度未受明显影响, 是发光效率提高的原因。 本文为提高OLED器件发光效率提供了新的思路和实验依据。

在一些有机电致发光器件中, Au常被用作阳极, 研究者希望Au在导电的同时兼具半透明可出光的属性, 这要求Au在能导电的同时厚度要尽量薄。 因此制备两种金属共同组成电极成为了选择。 将半透明Au/Al层插入阳极一侧, 制备了结构为ITO/Al(16 nm)/Au(10 nm)/TPD(30 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al的OLED器件, 相对于器件ITO/TPD(30 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al在长波方向出现了光谱窄化现象, 通过分析和实验判断该现象是Au薄膜特有的对光的选择透过性造成, 而并非微腔效应。 阳极一侧加入了Au/Al的器件保持了广视角无角度依赖的优点, 同时可以输出滤掉部分红光的纯度更高的发光, 发光色纯度得到了改善。

利用混蒸的方法、 将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合, 在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。 在相同驱动电压下, 采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高, 在电压为10 V时, 常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA·cm-2和1.03 μW, 而采用混合界面的器件可以分别达到18.1 mA·cm-2和3.64 μW。 通过分析认为, 引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入, 也增大了到达发光层的电子数目, 从而增大了发光几率, 引起了电流密度和发光功率的共同增长。

对蓝色磷光材料Ir(Fppy)3不同浓度掺杂PVK薄膜的光致发光(PL)和电致发光(EL)特性进行了研究。 并制备了结构为ITO/PEDOT:PSS/PVK:Ir(Fppy)3/BCP/Alq3/LiF/Al的蓝色磷光有机电致发光器件。 实验结果发现， 磷光材料掺杂浓度不同， 器件发光特性不同。 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较低时， EL光谱中可以观察到PVK较弱的发光； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度较高时， 会发生浓度猝灭； 当Ir(Fppy)3掺杂浓度比较适中时， EL光谱中观察不到PVK的发光， 只有Ir(Fppy)3的发光。 通过I-V-L特性的比较， 当掺杂浓度为4%时， 器件的光电特性最好。

实验过程中制备了3种不同周期的有机阱结构器件, 分别用N,N’-diphenyl-N,N’-bis(1-napthyl)-1,1’-biphenyll-4,4’-diamine(NPB)和4,4,N,N’-dicarbazolebiphenyl(CBP)作为电子的势阱和势垒。 讨论了3个器件在反向偏压调制下的光致发光的猝灭。 研究结果显示在作者所制备的器件中NPB层中激子的猝灭速度要比CBP层中的激子猝灭速度快。 这主要是因为NPB层中的有效电场要比CBP层中的有效电场强。 当所制备的有机阱结构器件的周期数增加时, 在相同的反向电场下, NPB和CBP层中的激子猝灭速度会随之增加, 因为实验中制备的这3个器件为Ⅱ型量子阱结构, 激子在这种阱结构器件中会随着阱周期数的增加而变得越来越不稳定, 因此周期数较大的器件猝灭现象比较明显。

以TTA为配体合成了新的共掺杂稀土配合物Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy,通过与PVK的掺杂,制备了以PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3 Dipy为发光层的结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3Dipy/BCP/Al的发光器件,在直流电压的驱动下,发现了铕在612 nm处的特征发射,和PVK在410 nm处的发光.此外,还观察到了位于490 nm处的新的发光峰,通过分析研究,认为新的发光来自于稀土配合物的配体和BCP之间相互作用形成的电致激基复合物.用PBD代替了BCP作为电子传输层,制备了结构为:ITO/PVK:Tb0.5Eu0.5(TTA)3DiPy/PBD/Al的发光器件,得到了纯的红色发光.