1 五邑大学 应用物理与材料学院, 广东 江门 529020
2 南方科技大学 电子与电气工程系, 广东 深圳 518055
在ITO玻璃上制备了ITO/poly(3, 4-ethylene dioxythiophene)∶poly(styrene sulphonate) (PEDOT∶PASS)/poly(N,N-bis(4-butylphenyl)-N,N-bis(phenyl)benzidine(poly-TPD)/QD/1,3,5-Tri(1-phenyl-1H-benzo［d］imidazol-2-yl)phenyl(TPBi)/LiF/Al 结构的量子点发光二极管(QD-LED)。通过优化量子点的浓度, 发现浓度为30 mg/mL时的器件性能最优, 最大外量子效率(EQE)为0.83%, 最大发光亮度为4 076 cd/m2。为了进一步提高QD-LED的发光效率, 将QD掺入聚合物poly(N-vinylcarbazole) (PVK)和1,3-Bis(5-(4-(tert-butyl)phenyl)-1,3,4-oxadiazol-2-yl)benzene (OXD-7)中, 以使得注入的电子和空穴更加平衡, 同时还有助于能量传递, 降低QD团聚及修饰QD薄膜表面, 减少激子猝灭效应等。为此, 通过旋涂和蒸镀两步法制备ITO/PEDOT∶PASS/poly-TPD/(PVK∶OXD-7)∶QD/TPBi/LiF/Al 结构的器件, 改变(PVK∶OXD-7)∶QD比例(1∶1, 1∶3, 1∶5, 0∶1), 发现(PVK∶OXD-7)∶QD为1∶3时的QD-LED具有最优性能, 最大EQE为1.97%, 相当于非掺杂器件的2.3倍, 并且发光峰没有发生偏移。
量子点发光二极管 聚合物PVK 掺杂 quantum dot light emitting diodes polymer PVK doping
1 香港科技大学 显示技术研究中心, 香港
2 广东中显科技有限公司, 广东 佛山528225
提出了一种薄膜晶体管的新结构。这种新结构充分发挥了短沟道效应和多结效应的优点。通过器件模拟, 验证了此种器件结构的物理机制。通过应用这种新结构, 薄膜晶体管的阈值电压、伪亚阈值斜率、开关电流比和场效应迁移率都大幅改善, 并且器件的热载流子和自加热可靠性也得到了极大的改善。
搭桥晶粒 多晶硅 薄膜晶体管 bridged-grain polycrystalline silicon thin-film transistors
