1 吉林建筑大学 寒地建筑综合节能教育部重点实验室，吉林 长春 130118
2 吉林建筑大学 电气与计算机学院，吉林 长春 130118
为了提高薄膜晶体管的性能，本文基于射频磁控溅射技术，采用氧化锌锡（ZTO）材料作为沟道层，在SiO2/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试，利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响，探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明，所有ZTO薄膜样品是非晶结构，表面致密，透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好，其饱和迁移率达到了15.61 cm2/（V·s），亚阈值摆幅为0.30 V/decade，阈值电压为-5.06 V，电流开关比为8.92×109。
薄膜晶体管 溅射功率 XPS分析 ZTO薄膜 thin-film transistor sputtering power XPS analysis ZTO thin film
1 北京理工大学 光电学院，北京市混合现实与先进显示技术工程研究中心，北京 100081
2 重庆京东方显示技术有限公司，重庆 400714
3 北京京东方显示技术有限公司，北京 101520
随着显示技术的不断发展，对高性能、高稳定性的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的需求日趋增加，通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前，铟镓锌氧化物（IGZO）材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势，被广泛用于薄膜晶体管的沟道中，而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展，详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构，重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性，深入分析其微观结构，总结物理特性，阐述不同晶系结构的结晶机理，建立不同晶体结构与电学特性的关系，最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。
晶态IGZO薄膜 薄膜晶体管 晶体结构 研究进展 crystalline IGZO film thin film transistor crystal structure research progress
鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，内蒙古鄂尔多斯017000
针对双屏显示产品Gamma曲线分离现象，通过实物解析、电学实验、工艺过程数据及调整工艺条件等实验进行验证，并结合大量验证数据进行机理研究。通过实物测量可知上下屏的液晶盒盒厚及像素电极CD存在差异，因此导致上下屏的透过率不同，进而造成上下屏Gamma差异。通过工艺调查验证得出液晶盒盒厚及像素电极CD差异是受到设备硬件影响导致涂胶起涂位置均一性差造成的；最终通过上下屏间封框胶封闭、最适化膜厚导入及波动范围内像素电极CD增大等工艺改善，将Gamma曲线分离不良彻底改善（不良发生率12%），提高了产品画面显示品质。
薄膜晶体管显示器 驱动电场 临界尺寸 液晶盒盒厚 TFT driving electric field critical dimension cell gap
研究了6世代线生产的A产品边角白点不良问题。首先针对不良进行实物分析，然后利用Minitab软件的二元逻辑回归方法进行了数据分析，最后通过不同的工艺试验条件对不良进行改善。实验结果表明：不良区域封框胶被金属走线遮挡，遮挡比例是边角白点不良的重要影响因素；TOF‑SIMS（Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry）进一步分析发现不良区有更高含量的封框胶成分（丙烯酸类、双酚A类）。封框胶被金属走线遮挡，造成该区域封框胶固化不完全，导致封框胶成分析出溶入液晶，继而影响液晶正常偏转，产生边角白点不良。通过调整边角处的封框胶画法，可以有效降低不良率。实验改善了边角白点不良，为A产品的顺利量产打下了坚实基础。
薄膜晶体管液晶显示器 边角白点 封框胶 TFT-LCD corner white dot sealant
1 贵州民族大学 化学工程学院, 贵阳 550025
2 贵州民族大学 材料科学与工程学院, 贵阳 550025
3 中国振华集团永光电子有限公司, 贵阳 550018
以锌锡氧化物(ZTO)薄膜作为沟道层, 聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)薄膜作为介质层低温(100℃)制备了顶栅共面结构的薄膜晶体管(TFT), 并研究了ZTO沟道层成膜过程中氧分压对器件性能的影响。结果表明, ZTO沟道层具有稳定的非晶结构、较高的可见光透明性(在400~700nm范围内平均透过率大于等于89.61%), 且增大氧分压有利于其可见光透明性的提升。霍尔测试结果表明, 增大氧分压(由3.5×10-2Pa增大到7.5×10-2Pa)会降低ZTO电子载流子浓度(由4.73×1015cm-3降低到6.11×1012cm-3), 致使基于ZTO沟道层TFT器件的能耗降低(表现为关态电流的降低和耗尽型器件阈值电压的正向移动)。此外, 增大氧分压还有益于沟道层/介质层界面状态的优化, 即亚阈值摆幅减小。
薄膜晶体管 锌锡氧化物 氧分压 顶栅结构 低温 thin-film transistors zinc-tin-oxide oxygen partial pressure top-gate configuration low temperature
