为了提高薄膜晶体管的性能，本文基于射频磁控溅射技术，采用氧化锌锡（ZTO）材料作为沟道层，在SiO₂/p-Si衬底上制备高性能ZTO薄膜晶体管。采用AFM、XRD、UV-Vis研究了溅射功率对ZTO薄膜的表面形貌和光学性能的影响。使用半导体参数仪对ZTO薄膜晶体管进行电学性能的测试，利用XPS分析研究溅射功率对ZTO薄膜中元素组成和价态的影响，探索高性能薄膜晶体管的原理机制。实验结果表明，所有ZTO薄膜样品是非晶结构，表面致密，透光率均大于90%。适当增加溅射功率能够改善ZTO薄膜晶体管的电学性能。在90 W溅射功率下制备的薄膜晶体管综合性能较好，其饱和迁移率达到了15.61 cm²/（V·s），亚阈值摆幅为0.30 V/decade，阈值电压为-5.06 V，电流开关比为8.92×10⁹。

介绍了一种利用飞秒激光技术制备的石墨烯异质结薄膜晶体管（GHTFT）。基于还原氧化石墨烯制备石墨烯的原理，该晶体管利用飞秒激光直接在硅基底上制备石墨烯，最终获得了3.05×10²的电流开关比。相较于以前报道的石墨烯晶体管，该值提升了10²。同时还研究了不同还原程度的氧化石墨烯对GHTFT电流开关比的影响，结果表明氧化石墨烯的还原程度越高，GHTFT的电流开关比越大，这说明飞秒激光能够有效调节GHTFT的电学性能。除此之外，鉴于当前石墨烯制备的困难，提出的方法能够有效避免转移过程和化学过程，同时飞秒激光的高效率提高了石墨烯晶体管的制备效率。

在TFT-LCD面板缺陷检测中，检测对象背景复杂、缺陷细微且种类繁多，而工业生产实时性要求高，传统的缺陷分类算法往往难以兼顾精度和速度要求，无法适用于实际生产应用。为均衡TFT-LCD面板缺陷分类的准确率和速率，提出一种基于Swin Transformer的轻量化深度学习图像分类模型。首先对模型每层输入的特征图进行Token融合以减少模型计算量，从而提高模型的轻量化水平。其次引入深度可分离卷积模块以帮助模型增加卷积归纳偏置，从而缓解模型对海量数据的依赖问题。最后使用知识蒸馏方法来克服模型轻量化导致的检测精度下降问题。在自制TFT-LCD面板缺陷分类数据集上的实验表明，本文提出的改进模型相比基线模型，FLOPs计算量降低了2.6 G，速度指标提升了17%，而Top-1 Acc精度仅损失1.3%，且与其他图像分类主流模型相比，在自制数据集和公开数据集上都具有更均衡的精度和速度。

Indium-tin-zinc oxide (ITZO) thin-film transistor (TFT) technology holds promise for achieving high mobility and offers significant opportunities for commercialization. This paper provides a review of progress made in improving the mobility of ITZO TFTs. This paper begins by describing the development and current status of metal-oxide TFTs, and then goes on to explain the advantages of selecting ITZO as the TFT channel layer. The evaluation criteria for TFTs are subsequently introduced, and the reasons and significance of enhancing mobility are clarified. This paper then explores the development of high-mobility ITZO TFTs from five perspectives: active layer optimization, gate dielectric optimization, electrode optimization, interface optimization, and device structure optimization. Finally, a summary and outlook of the research field are presented.

Here we review two 300 °C metal–oxide (MO) thin-film transistor (TFT) technologies for the implementation of flexible electronic circuits and systems. Fluorination-enhanced TFTs for suppressing the variation and shift of turn-on voltage (V_ON), and dual-gate TFTs for acquiring sensor signals and modulating V_ON have been deployed to improve the robustness and performance of the systems in which they are deployed. Digital circuit building blocks based on fluorinated TFTs have been designed, fabricated, and characterized, which demonstrate the utility of the proposed low-temperature TFT technologies for implementing flexible electronic systems. The construction and characterization of an analog front-end system for the acquisition of bio-potential signals and an active-matrix sensor array for the acquisition of tactile images have been reported recently.

随着显示技术的不断发展，对高性能、高稳定性的薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）的需求日趋增加，通过结晶改善薄膜晶体管性能的方法受到大量关注。当前，铟镓锌氧化物（IGZO）材料由于具有迁移率高、柔性好、透明度高等优势，被广泛用于薄膜晶体管的沟道中，而改善IGZO沟道层的结晶形态也成为研究热点。本文总结了晶态IGZO薄膜晶体管器件的研究进展，详细介绍了IGZO系化合物的晶体结构，重点阐述了单晶、c轴取向结晶、六方多晶型、尖晶石型、纳米晶型和原生结晶型IGZO的结构和各晶态IGZO薄膜晶体管的制备方法、器件性能和稳定性，深入分析其微观结构，总结物理特性，阐述不同晶系结构的结晶机理，建立不同晶体结构与电学特性的关系，最后对晶态IGZO薄膜晶体管的发展进行展望。

为了适应新一代电子技术的日益发展，开发各种新型存储器显得日益重要。与传统存储器相比，新一代的存储器不但需要更高性能的记忆特性，还需要可以满足灵活性、透明性或神经形态功能等特定应用的需求。本文以有机半导体材料C8-BTBT作为半导体层，PVP量子点共混作为浮栅提出了一种有机透明存储器（透明度≥83%）。器件具有超过40 V的存储窗口，编写/擦除电流比大于10³，在10⁴ s后仍能稳定分辨开关态。本文工作为透明柔性器件提供了一种新的解决方案，并预示了它们在下一代透明有机电子领域的潜力。