利用Suzuki偶联反应合成了一种新型聚芴类导电聚合物发光材料：聚9,9二十二烷基芴并3,3′二对偏二氰乙烯基苯基2,7联噻吩(PFC12Th-DCN)，表征了该材料的紫外可见吸收光谱、光致发光光谱以及激发光谱。此材料在300~450 nm有很强的吸收，吸收峰位于375 nm。用375 nm的光激发PFC12Th-DCN，其光致发光峰位于625 nm，是一种橙黄色发光材料。制备了结构为ITO/PEDOTPSS/ PFC12Th-DCN/Al的有机电致发光器件。该器件启亮电压为5 V，发光峰为649 nm，色坐标为(0.62, 0.36)。与光致发光光谱相比，该材料的电致发光光谱出现了约25 nm的红移，根据退火实验推断该红移是由PFC12Th-DCN分子聚集态发光引起的。

运用传输矩阵法及MATLAB软件模拟计算了以MEH-PPV为发光材料的PLED面光源出光率, 分析了发光层、PEDOT层、ITO层对器件出光率的影响。模拟分析了玻璃表面半球形、圆台形、圆锥形3种微形貌对器件出光率的影响。仿真结果表明, 玻璃表面为圆锥形微散射层对提高器件出光率最有利, 且出光均匀性最好。最后分析了PLED面光源工作状态下的热特性, 发现发光层的热量容易积聚不易导出。该研究为大面积有机发光照明的优化设计提供了理论依据。

采用传输矩阵法及Matlab软件模拟以聚合物MEH-PPV为发光材料的顶发射聚合物发光二极管（TEPLED）出光率，探讨了阳极材料、阴极材料、折射率匹配层以及发光角度等对器件出光率的影响。从仿真结果可知以传统分布布拉格反射器（DBR）为衬底的器件与以Ag膜为反射阳极的器件相比，表现出更高的出光率，达到47.43%。针对半透明金属阴极对光线的吸收和反射问题，设计了以透明材料为阴极的器件，提高了TEPLED出光率，达到67.11%，与以Ag膜为阴极的器件相比，出光率高出10%。分析了DBR对器件出光角度的影响，结果表明，器件在较小出光角度范围（30°）内DBR结构对整个TEPLED出光率影响较小；当角度大于30°时，器件出光率受DBR的反射特征影响较大。DBR的应用为TEPLED出光率的优化设计提供了理论依据。

以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管的ITO阳极与发光层之间，加入一层溶解于氯仿中的有机小分子CBP，能显著改善发光器件的电流特性。在电压较低的时候能提高电流，在电压较高的时候能抑制电流，从而增加工作电压范围。此外，器件的电流效率也能得到显著的提高。实验结果表明，加入CBP层后，在低电压时，CBP层能够减缓空穴注入到发光层中，将其限制在CBP层，从而在器件中形成一个内电场，有助于电子的传输，降低开启电压，提高发光亮度。在电压较高时，CBP作为电子阻挡层，能阻挡电子漏泄到阳极，从而使在复合区的空穴与少数载流子电子的复合效率提高，改善器件的性能。

报道了一种共轭主链结构三苯胺PPV聚合物发光二极管,器件结构ITO/ploymer/Alq3/Mg:Ag/Ag。在20V驱动电压下,最大亮度达到了1000cd/m2

成功制备了结构为ITO/PDDOPV/PPQ/Al的异质结聚合物发光二极管。该器件在正反向偏压下均可发光。在正向偏压下的光发射主要来自PDDOPV ,但在反向偏压下的光发射则包括来自PPQ的蓝光发射和PDDOPV的黄光发射。蓝光强度与黄光强度的比值随着反向偏压的增加而增加,当反向直流电压分别为2 2V、2 4V、2 6V、2 8V时,其电致发光光谱中PPQ与PDDOPV的峰高比IPPQ/IPDDOPV分别为1.0 92、1.32 9、1.6 0 5、2 .0 4 6。换句话说,该器件的发光颜色是压控可调的,这对实现彩色显示是极为有利的。分析了在反向偏压下的发光机理以及IPPQ/IPDDOPV受电压控制的原因。