在Si/SiO2衬底上生长金属银作为阳极，4,4,4-tris(3-methylphenylpheny-lamino)-triphenylamine(m-MTDATA):MoOx/m-MTDATA/N,N-bis-(1-naphthyl)-N,N-diphenyl-1,1-biphenyl-4,4-diamine(NPB)作为空穴注入及传输层，发光层采用4,4-N,N-dicarbazole-biphenyl(CBP)掺杂磷光染料(1-(phenyl)isoquinoline)iridium(III) acetylanetonate(Ir(piq)2(acac))的结构，4,7-di-phenyl-1,10-phenanthroline(BPhen)作为空穴阻挡层及电子传输层，阴极为LiF(1 nm)/Al(2 nm)/Ag(20 nm)复合阴极结构.通过在光取出的复合阴极上方生长一层CBP光学覆盖层，有效地改善了复合阴极膜系的透射率，从而改善了顶发射结构的光学耦合输出特性，在提高器件的正向发光效率的同时还使色坐标往深红光区移动.并且生长光学覆盖层结构的器件角度依赖特性明显得到改善，这对于制作高显示质量的显示器件具有重要意义.在原有结构的基础上增加20 nm的NPB掺杂磷光染料Ir(piq)2(acac)作发光层，从而得到双发光层结构为NPB:Ir(piq)2(acac)(1%,20 nm)/CBP:Ir(piq)2(acac)(1%, 20 nm).由于NPB具有较高的空穴迁移率，避免了由于光学厚度的增加而引起器件工作电压的大幅升高，而双发光层的结构有利于增大激子复合区域，提高辐射复合几率，减少非辐射损耗，实现主客体之间高效的三线态能量传递，相对单发光层顶发射结构，双发光层结构不仅提高了器件的发光效率，而且改善了器件的色坐标.

以铱配合物红色磷光体Ir(piq)2( acac)为掺杂剂,制备了基于CBP材料的一系列红色电致磷光器件(PLED),其结构为ITO/CuPC(1 nm)/Ir(piq)2(acac)∶CBP(25 nm)/BCP(10 nm)/Alq3 (35 nm)/LiF(1 nm)/Al(100 nm), 对4种不同的掺杂剂浓度进行了比较，研究了它们的电致发光特性。得出了Ir(piq)2(acac)的最佳掺杂比为8%，此时器件的色坐标都非常接近标准红色，且色纯度超过了98%以上；在16 V时，色坐标为(x=0.67，y=0.32)，色纯度为99.74%,基本满足了全色显示对红色发光的要求。

以聚合物发光材料MEH-PPV为发光层的聚合物发光二极管的ITO阳极与发光层之间，加入一层溶解于氯仿中的有机小分子CBP，能显著改善发光器件的电流特性。在电压较低的时候能提高电流，在电压较高的时候能抑制电流，从而增加工作电压范围。此外，器件的电流效率也能得到显著的提高。实验结果表明，加入CBP层后，在低电压时，CBP层能够减缓空穴注入到发光层中，将其限制在CBP层，从而在器件中形成一个内电场，有助于电子的传输，降低开启电压，提高发光亮度。在电压较高时，CBP作为电子阻挡层，能阻挡电子漏泄到阳极，从而使在复合区的空穴与少数载流子电子的复合效率提高，改善器件的性能。