采用混合溶剂制备了四苯基卟啉(TPP)及其铜配合物(TPPCu)和氯化对甲氧基四苯基铁卟啉(TMPPFeCl), 将三种卟啉化合物和富勒烯的衍生物(PCBM) 分别共混, 制备异质结太阳能电池。 器件结构是ITO/porphyrin∶PCBM/Al, 研究此类电池的性能。 结果显示基于TPP∶PCBM的器件性能最优, 其短路电流密度(JSC)是0.98 mA·cm-2, 开路电压(VOC)是0.52 V, 填充因子(FF)为30.1%。 TPP是三种卟啉化合物中最佳的给体材料。 进而考察了TPP∶PCBM的不同浓度配比对器件性能的影响。 TPP∶PCBM的最佳浓度配比为1∶1, 增加或减少TPP的量都会使器件的短路电流和开路电压降低, 对填充因子的影响不大。

以水溶性酞菁铜(CuTcPc)为空穴注入层制备多层有机电致发光器件。ITO表面经过CuTcPc溶液修饰，能够提高空穴的注入能力，增加器件的电流密度和亮度。在有机电致发光器件中，空穴传输材料的空穴迁移率一般大于电子传输材料的电子迁移率，空穴是多数载流子；但是，CuTcPc修饰处理不仅提高了器件的电流密度和亮度，也提高了器件的电流效率。研究结果表明， CuTcPc层不仅提高了器件的空穴注入能力，也影响了电场的分布，能在一定程度上增加电子的注入。

利用混蒸的方法、 将空穴阻挡材料2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanhroline及电子传输材料Tris(8-hydroxy-quinolinato)aluminium混合, 在电子传输层及空穴阻挡层之间制备了薄层的混合界面。 在相同驱动电压下, 采用混合界面的器件比常规器件的电流密度和亮度都有明显提高, 在电压为10 V时, 常规器件的电流密度和发光功率分别为5.13 mA·cm-2和1.03 μW, 而采用混合界面的器件可以分别达到18.1 mA·cm-2和3.64 μW。 通过分析认为, 引起这些提高的原因主要来自于混合界面的存在提高了电子在界面附近的传输和注入, 也增大了到达发光层的电子数目, 从而增大了发光几率, 引起了电流密度和发光功率的共同增长。

制备了以结构 ITO/PCBM∶PVK(x Wt%, ～40 nm)/DPVBi(30 nm)/Alq3(30 nm)/Al为基础的一系列有机发光二极管， 利用电致发光光谱分析了DPVBi/Alq3基有机发光二极管中载流子复合区的移动。 通过氟化锂的阴极修饰， 改变了器件的载流子注入情况； 通过PCBM的浓度变化， 改变了载流子的输运情况， 讨论了这些因素对载流子复合区形成的影响。 同时通过改变对器件所加的电压， 讨论了电压对载流子复合区形成的影响， 并分析了其影响的本质。

以DPVBi为发光层, NPB为空穴传输层, 在阳极ITO和NPB之间分别插入不同的空穴注入层CuPc和PEDOT∶PSS, 制备了两种结构的蓝色有机电致发光器件(OLEDs)： ITO/CuPc/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al和ITO/PEDOT∶PSS/NPB/DPVBi/BCP/Alq3/Al, 研究了不同空穴注入材料对蓝色OLEDs发光性能的影响, 并与没有空穴注入层的器件进行了比较。 其中CuPc分别采用旋涂和真空蒸镀两种工艺, 比较了不同成膜工艺对器件发光特性的影响。 结果表明： 加入空穴注入层的器件比没有空穴注入层器件性能要好, 其中插入水溶性CuPc的器件, 其发光亮度和效率虽然比蒸镀CuPc器件要低, 但比插入PEDOT∶PSS器件发光性能要好。 又由于水溶性CuPc采用旋涂工艺成膜, 与传统CuPc相比, 制备工艺简单, 所以为一种不错的空穴注入材料。

分别以SiO2和PMMA为绝缘层材料制备了底栅顶接触结构的OTFT器件， 得到以PMMA为绝缘层的器件具有更好的性能， 其场效应迁移率为0.207 cm2·Vs-1， 开关电流比为4.93×103， 阈值电压为－4.3 V； 而以SiO2为绝缘层的器件， 其场效应迁移率仅为0.039 cm2·Vs-1， 开关电流比为5.98×102， 阈值电压为－5.4 V。 为分析器件性能差异的原因， 测得了SiO2和PMMA薄膜表面的AFM图谱及其上沉积并五苯薄膜后的AFM和XRD图谱。 通过AFM图谱发现PMMA表面较SiO2表面粗糙度小， 其表面粗糙度的均方根值为0.216 nm， 而二氧化硅薄膜表面粗糙度的均方根值为1.579 nm； 且发现在PMMA上生长的并五苯薄膜的成膜质量优于在SiO2， 具有较大的晶粒尺寸和较少的晶粒间界。 通过XRD图谱发现在PMMA上生长的并五苯薄膜具有明显的衍射峰， 进一步证明了在PMMA上生长的并五苯薄膜具有更好的结晶状况， 将更有利于载流子的传输。

合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)∶(2NH₂-Phen)₃,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH₂-Phen)₃具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致发光器件中。还制备了以PVK∶Eu(TTA)(2NH₂-Phen)₂为发光层,器件结构为ITO/PVK∶Eu(TTA)(2NH₂-Phen)3/2,9-dimethyl-4,-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Al的多层器件,得到了Eu³⁺ 的红色电致发光。研究不同掺杂浓度时器件发光光谱的变化及PVK的发射光谱与Eu(TTA)(2NH2-Phen)3 的吸收光谱的交叠情况,证明了混合薄膜中Eu³⁺电致发光机理主要是载流子的直接俘获。

为消除小波分解过程中的边界效应，给出了一种基于多项式拟合的边界延拓的新方式。该延拓方式首先对信号边界处的N个点进行M阶正交多项式拟合，将信号在边界处的低频变化规律用正交多项式表示出来，再利用得到的边界处的低频变化规律对信号进行延拓，从而减少了边界处引入的突变量。研究表明，N取30～50、M取2～4较为合适。进一步的实验表明，利用小波变换在该延拓方式下对信号进行基线校正时，边界效应得到了明显的改善。

为了精确得到三元结构的λ／4消色差复合波片的消色差范围，采用数学解析的方法进行了理论分析，并在中心波长600nm处进行实验，得到偏差在2%以内的光谱范围大约为540nm～680nm。结果表明，其消色差范围只在中心波长的附近，这一结果对实验中棱镜的选用是有帮助的。

在对波片延迟量的测量中常因光源起伏影响测量精度，出现较大的测量误差，为了避开光源强度起伏的影响，提高系统的测量精度，减小测量误差，用两个标准λ／4波片与待测波片组合，使其满足一定条件等效为旋光器，搭建了一套测量系统，用角度测量替代对光强的直接测量。实验结果表明，该系统可有效避免光源强度起伏对测量结果的影响，测量精度可达0．5。。与传统测量方法相比，该测量系统具有构造简单，不受光源起伏影响，以及测量精度高等特点，是一种便捷有效的测量方法。