文章采用具有电子捕捉能力的橙红色磷光材料iridium(Ⅲ)bis(2-methyldibenzo-[f,h]quinoxaline)(acetylacetonate)(Ir(MDQ)2(acac))作为超薄发光层应用于有机发光二极管中。通过对其厚度的优化, 发现当发光层厚度为0.1 nm时, 器件性能最好, 最大电流效率达到了28.1 cd/A, 明显优于采用掺杂发光层的器件。分析了发光材料的载流子捕捉作用对器件载流子平衡及器件电流效率的影响, 发现超薄发光层结构几乎不改变器件的电学特性, 不会进一步破坏器件载流子平衡, 正因如此, 大多数磷光材料都可以采用超薄发光层获得很高的效率。

采用了高反射率金属Al和电化学性能稳定的金属Mo, 在硅基底上制备了多层结构的 Al/Mo/MoO3阳极, 并研究了不同MoO3厚度下多层阳极的反射率。 在此基础上, 通过发光层共掺杂制备了顶部发光OLED器件, 并对器件发光机制进行了系统研究和分析。 实验结果表明: 采用发光层共掺杂制备的顶部发光OLED器件的色坐标, 随电流密度或电压的增加而发生漂移; OLED器件色坐标漂移的原因是三基色发光强度随电流密度的增加, 逐渐偏离了形成白光(0.33, 0.33)所需三基色强度比例值, 导致了OLED器件的色坐标发生了漂移, 其机制是发光层中主-客之间能量转移和陷阱共同作用的结果。 进一步研究发现, 在不同电压下, 红光发光强度随驱动电压（或电流密度）增大而线性地减小。

合成了一种新型的稀土配合物Eu(TTA)∶(2NH₂-Phen)₃,将其作为掺杂物与基质聚乙烯基咔唑(PVK)按照不同质量比混合共溶,旋涂成膜。测量了混合薄膜的光致发光光谱,确认了所合成的Eu(TTA)(2NH₂-Phen)₃具有发射荧光的能力,进而将其应用于电致发光器件中。还制备了以PVK∶Eu(TTA)(2NH₂-Phen)₂为发光层,器件结构为ITO/PVK∶Eu(TTA)(2NH₂-Phen)3/2,9-dimethyl-4,-diphenyl-1,10-phenan throline(BCP)/8-hydroxyquinoline aluminum(Alq3)/Al的多层器件,得到了Eu³⁺ 的红色电致发光。研究不同掺杂浓度时器件发光光谱的变化及PVK的发射光谱与Eu(TTA)(2NH2-Phen)3 的吸收光谱的交叠情况,证明了混合薄膜中Eu³⁺电致发光机理主要是载流子的直接俘获。

将腈类黄色荧光染料(2Z,2’Z)-3,3’-(1,4-phenylene)bis(2-phenylacrylonitrile) (BPhAN)掺杂到poly(N-vinylcarbazole) (PVK)中作发光层,2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline(BCP)作电子传输层和空穴阻挡层,制备了结构为Indium-tin oxide (ITO)/PVK:BPhAN/BCP/Mg:Ag的双层有机电致发光器件。通过调节BPhAN掺杂质量百分比(2wt%,4wt%,6wt%),测试了器件在不同电压下的光谱特性,研究了Frster能量转移和直接载流子俘获在发光过程中的作用。结果表明,当掺杂浓度为4 wt%时可实现色度较好的白光,随着电压从6 V增大到16 V,CIE色坐标从(0.33,0.37)变化到(0.32,0.33),在白光区域有微小蓝移,这是由于随着电压的增大,能量转移效率和直接载流子俘获效率都降低,BPhAN黄光减弱,PVK发射的蓝光增强。