制备了多层结构合成的白光有机电致发光器件(WOLEDs),通过在发光层中加入一层空穴阻挡层TPBi来提高器件的光谱稳定性。当TPBi厚度为2.5 nm时,在电压由8 V升高到12 V的过程中,CIE色坐标的变化量为(0.031,0.006)。器件的电流效率为24.7 cd/A,外部量子效率最大为8.2%。相对于没有加入中间层的器件,8 V电压下的色坐标由(0.435,0.472)变为(0.333,0.439)。实验结果表明,在发光层中添加中间层可以改变器件发光的色坐标并提升光谱的稳定性。

研制了一种基于自组装技术的静电驱动微机电系统(MEMS)倾斜镜,并利用表面硅工艺PolyMUMPs制备了样品。倾斜镜主要由一个中心镜面,两个偏转梁和两个可实现自组装的复合悬臂梁组成。中心镜面离衬底的高度可通过增大金和多晶硅复合悬臂梁的残余应力梯度得到提升。热退火技术被用于提高金层的残余应力。器件结构利用有限元仿真软件进行了优化并通过实验进行了验证。经过200 ℃热退火后,倾斜镜的偏转角度可以达到3.6°。该倾斜镜可运用于微光机电系统。

对新型聚集荧光增强芴衍生物的溶液状态下的光致发光和紫外-可见吸收光谱进行了表征, 同时对比了其在丙酮/水混合溶液中的光致发光特性。 结果表明, 当水的体积比不断提高时, 芴衍生物的丙酮/水混合溶液的光致发光光谱辐照度增强, 这是由于该芴衍生物不溶于水, 使得材料形成聚集态, 导致聚集荧光增强; 同时, PL光谱发生蓝移, 这是因为溶液加水后形成芴衍生物的蓝色晶态聚集, 这种晶态聚集会导致光致发光光谱的蓝移, 并且晶态聚集越有序, 发射的波长越短。 另外, 新型芴衍生物分子是通过在芴基团上链接四苯基苯和三苯胺官能团, 具有抑制浓度猝灭及增强电荷传输能力, 因此作为发光层, 制得了非掺杂的有机电致发光器件。

将黄光磷光材料bis［2-(4-tertbutylphenyl)benzothiazolato-N,C2’］iridium (acetylacetonate) ［(t-bt)2Ir(acac)］超薄层作为黄光发光层, 两个蓝光磷光染料iridium(Ⅲ) bis(4’,6’-difluorophenylpyridinato)tetrakis(1-pyrazolyl)borate (FIr6)和bis［(4,6-difluorophenyl)-pyridinato-N,C2’］(picolinate) iridium (Ⅲ) (FIrpic)掺杂层作为蓝光发光层, 制备了三元发光层的白光有机电致发光器件。 该器件具有三元磷光染料分子协同发光特性, 并且利用合适厚度的隔层, 将三线态激子束缚在各自激子复合区域内, 获得了稳定电致发光光谱, CIE色坐标为(0.29±0.01, 0.34±0.01), 处于理想的白光区域。 通过器件电学特性的测试, 验证了磷光染料在三元发光层器件中电致发光作用的机理, 同时结果表明, 三元发光层器件由于稳定的激子复合区域而有效减弱了器件效率滚降现象。

双光栅叠栅条纹对准方法具有精度高、可靠性强等特点，适用于接近接触式光刻。为了实现高精度测量，实际应用中要求掩模光栅标记与硅片光栅标记高度平行。掩模光栅标记在CCD中成像通常存在一定的倾斜角。由此，在已提出的相位斜率倾斜条纹标定方法上，提出了一种改进方法。该方法充分利用掩模光栅45°和135°两个方向的相位信息标定CCD的成像位置，以实现掩模光栅条纹的标定。对比两种方法分析表明，改进后的方法具有倾角测量范围大、抗噪性强、精度高等优点，理论极限精度优于0.001°量级。

针对接近接触式光刻技术的特点，提出了一种实用的反射式光刻对准方案。方案采用差动叠栅条纹对准技术，以叠栅条纹相位作为对准信号的载体。在掩模和硅片上分别设计两组位置相反、周期接近的光栅对准标记。电荷耦合器件(CCD)成像系统接收叠栅条纹图像，采用傅里叶变换提取叠栅条纹相位，得到掩模与硅片的相对位置关系。设计的标记可同时探测横纵方向的对准偏差。给出了合理的光路设计方案,详细分析了整个系统对准的内在机制，建立了可行的数学模型。研究表明，当对准偏差小于1 pixel时，最大误差低于0.002 pixel。与透射式光路对比，该方案更具有实用性，满足实际对准的要求。

光刻对准中，一般将硅片和掩模对准标记制作成周期接近的光栅,通过光栅标记叠加形成的叠栅条纹的相位信息,探测掩模和硅片的相对位置关系。在实际的应用中，叠栅条纹的方向不仅与对准标记的几何位置有关，而且还与CCD的位置有关。为了将叠栅条纹的光刻对准方法推向实际应用，从矩形光栅到叠栅条纹，分析了一般光栅的相位分布规律。根据叠栅条纹相位特性分析了掩模、基片和CCD的几何位置对对准精度的影响；建立了实际对准偏差与理论值的数学关系模型。研究表明，没有角位移的情况下，当位移值小于0.4 pixel时，理论上最大对准误差低于0.002 pixel。

针对数字投影光刻技术大面积图形曝光的需求，提出了一种基于灰度模板调制的图形拼接方法，包括图形分割、模板设计、子图形灰度调制、子图形曝光4个步骤。图形曝光前，需要将曝光图形分割为多帧大小为1024 pixel×768 pixel的多个子图形，然后每个子图形与对应模板相乘，实现曝光子图形的预处理。基于数字微镜(DMD)对灰度图形的调制原理，设计了可行的边界灰度调制模板。给出了图形分割的基本方法以及模板设计的原则。计算机仿真实验展示了图形拼接的过程。实验结果表明，该方法能较好地解决大面积图形曝光存在的拼接问题，改善了图形刻蚀的质量。

在线光栅用于纳米光刻对准理论的基础上，为实现光栅方向的标定和掩模硅片对准，提出一种利用相位斜率消除角位移的新方法，并给出线光栅标记及其对准原理。在对准前，掩模对准标记和硅片对准标记存在角位移，重点讨论了此种情况下叠栅条纹的特性以及与光栅物理参数的关系，并给出了相应的计算公式。基于傅里叶频域分析法，对叠栅条纹频率成分与条纹的关系做了简要分析。利用提取叠栅条纹行列方向的一维相位，通过数据拟合，得出了相位斜率与角位移的内在关系，实现了条纹方向的标定。模拟实验结果表明，该方法简单可靠，可分辨的最小角位移低于0.02°。